01
选定理由
02
目前现状
FT后出现一些low yield批次包含FBGA及QFP等产品，FA分析后发现失效模式是弹坑。
03
原因分析
依据分析，建议源头改进pad结构
05
评估和执行
WB重新DOE调试新设计pad结构参数：
关键因子：
1 C/V，Current越小，对circuit破坏越小
2 EFO current越小，对circuit破坏越小
3 1st bond使用pro-bond比使用Classic对circuit破坏越小
文件化定义并锁定关键参数因子：
Step 1: 更新GWI
Step 2: 关联到MES系统管控
06
效果确认
FT良率追踪：
选取两个使用GWI参数的40nm晶圆器件，后续FT成品率保持稳定。在其它40nm晶圆器件中没有出现弹坑的情况。
07
标准化
更新了新的验收流程，当WB验收小于或等于40nm时，需要在实验室进行偏光显微镜测试。
08
持续改善
1．供应商的（晶圆，基板，电线...）工艺不一定适合我们。基于此，我们需要了解原材料对我们的流程的风险；
2．通过我们的方法，我们了解了参数调整的方向，以降低这种焊盘设计的
风险，重要的是我们更新了GWI，以减少类似的质量问题；
3．此外，我们还发现了一种新的缺陷检测方法，以检测焊盘下的裂纹，这
种方法在传统的FA流中是无法发现的。
