前沿导读

台积电 （TSMC） 前首席法律顾问迪克·瑟斯顿 （Dick Thurston） 在采访中表示，中国大陆的SMIC，在2023年帮助中国的手机企业制造了7nm芯片，削弱了美国利用出口管制和黑名单来阻止中国技术进步的战略。我从来没有怀疑过他们会做 7 nm芯片，现在我仍然毫不怀疑他们会在没有 EUV 工具的情况下做 5 nm芯片。

大陆芯片的突破

早在多年以前，美国对荷兰政府以及ASML公司施压，禁止其出口给中国大陆地区EUV光刻机，导致中国大陆在先进芯片的制造当中被拦住了去路。

不过有一点需要说明，台积电的第一个 7 nm制程工艺，也是在不使用 EUV 工具的情况下完成的。中国大陆的晶圆企业，通过曾经采购的 DUV 设备进行双重图形化以达到 7 nm技术节点，这并不奇怪。

从当前的情况来看，全球最大的晶圆代工厂台积电（TSMC）已经可以通过EUV光刻机制造3nm芯片。而中国大陆的晶圆厂商，只能达到制造7nm芯片的水平，与台积电有大约5年的技术差距。而美国的本土企业，唯一能够制造 7 nm芯片的厂商就是英特尔。

台积电的前法律顾问瑟斯顿，将中国大陆芯片制造业的发展进步归功于曾经台积电的研发处长、现任中芯国际的CEO梁孟松。瑟斯顿评价他是拥有半导体领域最聪明的头脑之一，并且没有比梁孟松更聪明的科学家或工程师了。

2023年，华为发布了搭载5G芯片麒麟9000S的mate60系列产品，使其成功的重返高端5G手机市场。

根据Techinsights的技术拆解显示，麒麟9000S是中国大陆的晶圆厂通过N+2工艺制造的产品，等效制程工艺是7nm。鉴于大陆的晶圆企业已经解决了 7 nm工艺的多重图形化问题，所以大陆企业很可能会顺藤摸瓜的弄清楚 5 nm芯片所需要的多重图形化技术。

在麒麟9000S出现之后，美国立法者再次呼吁商务部继续对华为和其他的相关企业进行制裁。

虽然美国官员可能会对华为和其他相关企业采取进一步的制裁措施，但是相关企业早就已经在实体清单上了，美国的相关部门需要拿出相应的证明，来表示这些被制裁的企业违反了美国的出口管制。

虽然美国政府以国家安全为由，对中国企业进行出口管制。但是没有美国的官员可以明确的解释像 Mate 60 这样的消费类智能手机是如何上升到国家安全系统的。

大陆芯片的发展方向

目前为止，大陆的晶圆厂商正在跟国产手机厂商一起解决更先进的7nm工艺。

在高带宽内存 （HBM）领域，也是中国厂商正在大力推进的技术。国产厂商正在发展与 Nvidia 芯片相同的技术路线——将 HBM 与 GPU 封装在一起，以获得更高水平的性能。而中国负责该技术项目的企业，是合肥的CXTM与武汉的新芯。

根据技术发展来推断，到 2026 年，中国的手机厂商将与国内的相关企业合作，一起生产 HBM2 芯片。HBM2 是继SK 海力士、三星和美光制造的 HBM芯片之后的新一代技术产品。

据国外的分析师Triolo表示，中国在成熟节点拥有大量的产能，这引起了人们对产能过剩的极大担忧。他还补充说到，中国的SMIC正在试图将中国最先进的 DUV 系统（如 ASML 2050 和 2100）重新用于更先进的技术节点。

这种光刻机产品，可以制造 7 nm和 5 nm技术的芯片，因此SMIC可能已经开发出 5 nm的制造工艺。不过，有一个因素要重点提出来，要在 5 nm节点或改进的 7 nm工艺技术上对硅片进行相应的图案曝光，必须要使用多重图案化技术。

多重图案化技术，是一项良品率和制造成本不可控的技术。因此，国产 5 nm芯片技术带来的经济效率可能远低于在芯片市场上的领导者，英特尔、台积电和三星。

还有就是芯片的封装技术，麒麟9000S芯片就是采用了国产的芯片封装技术，将调制解调器 IC 堆叠在 CPU+GPU 之上，以节省主板空间，或者分解一些逻辑以简化生产当中的技术门槛。先进的芯片封装技术，在未来的发展当中会起到决定性作用。