国内权威媒体引用韩联社新闻报道称，韩国科技评估与规划研究院发布调查报告，韩国绝大多数半导体技术已经被中国企业赶超。研究院针对39名韩国技术专家进行了问卷调查，截止到2024年，韩国所有半导体领域的基础技术力量均落后于中国，在高性能低功耗芯片、功率半导体芯片、高性能传感器技术等各个领域，中国企业均赶上甚至反超了韩国老牌的技术企业。

韩国的芯片技术主要以存储器为主，也就是以三星、海力士为首的高水平芯片企业。其中三星的综合实力是最强的，乃至于放在全球的芯片产业当中，都是属于顶级的水平。并且三星是继台积电之后排名第二的先进芯片制造商，拥有5nm及以下先进芯片的制造生产线。

而在先进芯片的制造领域，由于美国对中国企业的技术制裁，导致中国企业无法获得先进的制造设备，被暂时卡在了7nm的工艺节点。

不过中国的国产7nm芯片技术，是在被美国全面制裁的前提下，通过曾经从ASML采购的老旧DUV设备，加上多重曝光和自对准多重图案化技术制造出来的产品，并且成功的实现了去美化的生产制造。

国际权威研究机构techinsights对此进行评价，中国企业完成了一个根本不可能完成的技术项目。

目前为止，在不采用EUV设备的前提下制造7nm芯片，只有中国台湾的台积电以及中国大陆的芯片企业成功了。

韩国的三星、海力士在存储器领域拥有着极高的话语权，根据全年的数据信息表示，韩国企业占全球存储器市场份额的63%，而中国的存储器只有5%的国际市场份额。

虽然中国存储企业的国际市场份额较低，但是其技术水平已经与韩国企业并驾齐驱。

来自于武汉的长江存储，已经实现了232层闪存芯片的量产。其闪存芯片的存储密度达15.8Gb/mm²，这个密度在国际领域处于领先地位。

三星、SK海力士多年前量产了176层NAND，236层的闪存堆叠技术仍处于实验室阶段。再加上韩国企业依赖于传统的双堆栈（Double-Stack）技术，在堆叠层数与堆叠密度上面均开始落后于中国企业的发展速度。

根据国际机构WIPO的专利数据统计，来自于中国品牌的长江存储，在3D NAND领域的专利数总共有1542项。韩国三星的专利数量有1329项，中国企业在闪存技术上面的发展速度已经领先韩国三星。

在内存技术上面，中国企业要略差于韩国企业。

合肥长鑫存储已经实现了19nm的LPDDR5的内存量产，而韩国三星在多年前就已经实现了14nm的LPDDR5量产，并且依靠产能优势大幅度占领市场。

韩国企业在工艺和量产上面，要领先于中国企业。但是在技术发展、原创和设计领域当中均开始落后于中国企业。

韩国三星是最早一批支持美国EUV LLC技术联盟，并巨额投资ASML的半导体公司，所以三星可以成功的获得来自于ASML的先进光刻机设备。韩国的芯片产业在制造产业链上面，存在较为明显的被动情况。

虽然三星电子是idm模式的企业，是国际供应链的霸主之一，但是其在先进的技术设备上面，还需要依靠进口海外国家的产品进行使用，与被美国制裁前的中国企业非常相似。

而现在的中国企业，在芯片产业链领域全面进行自主化技术的推进。

在刻蚀机、清洗机、封装技术等多个领域，均有中国企业自主研发的产品设备。中微半导体的高精度刻蚀机、盛美半导体的高水平清洗机，还有来自于通富微电、长电科技等公司的先进封装技术。

自主产业链的优势是可以极大的优化产业链成本，在存储器领域，中国国产设备的渗透率在38%左右，其产品的成本可以低30%。而韩国企业虽然在产能上面优势巨大，但是其太过于依赖美日国家的设备材料，最终导致在中国市场上面被国内的自主品牌所冲击。

并且中国企业在成熟芯片领域开始爆发，在28nm及以下节点的工艺芯片当中，中国企业的28nm芯片良品率较高，而且国产供应链让其市场价格下降了15%-20%，不但满足了国内市场的应用，而且还极大冲击了国际市场。

曾经韩国芯片产业的许多专家认为，韩国在高集成度、低阻抗的存储芯片、先进封装等多个技术领域优势很大，而且大幅度领先中国企业，但是两年后这个看法被全部推翻。

现在专家们认为，韩国的芯片技术在未来会面临着技术人才流失、AI芯片发展较慢、美国的贸易制裁等问题。现在韩国在AI芯片的制造上面还具有较为明显的技术优势，但是这个优势岌岌可危。

韩国的《首尔经济》、YTN电视台对中韩之间的芯片产业进行了总结，中国企业可以在美国对其施加巨大压力的前提下，取得多方面的技术突破。推动中国半导体在近10年间出现逆势增长的关键因素，离不开国家部门持续推动中国企业进行技术研发。

韩国企业曾经引以为傲的存储器芯片技术、传感器芯片技术，正在逐步被中国企业反超。

韩国半导体产业协会的安基铉对此表示，中国投入了大量资源支持各部门的技术攻坚，给中国企业培养了许多人才，开创了许多新技术，并且形成了中国自主产业链的发展基础。中国企业正在学习三星，并且用自主技术超越三星。