据了解，三星电子和NVIDIA顺利完成了近期有关HBM3E（第五代高带宽内存）的审核。虽然该产品的量产供应速度比最初预期的要慢，但由于之前提出的质量问题得到了解决，因此得到了积极的评价。
三星决战英伟达HBM3E交付据悉，英伟达的新一代芯片——Blackwell Ultra GB300和B300系列芯片将首次亮相，成为此次活动的最大亮点之一。而Blackwell架构的中期更新有望比其前代产品有显著改进。B300系列预计将提供更高的计算性能和8组12-Hi HBM3E内存，提供高达288GB的板载内存。
与B200系列相比，B300性能提升了50%。有业内人士透露，GB300最早可能在5月份开始出货，从而加速对GB200的替代。
三星电子内部的共识是必须在本季度内敲定向英伟达的HBM3E供应事宜。三星计划以HBM3E 8层产品为起点，并在上半年内扩大供应至HBM3E 12层产品。一位半导体业内人士表示：“甚至HBM4的研发团队也被调配到HBM3E项目，以提升良率并稳定生产。”
目前，公司还在同步进行先进DRAM的良率提升工作。
三星电子DS部门（设备解决方案部门）负责人、副会长全英贤已指示，为确保HBM市场的主导权，公司将重新设计部分10纳米第四代（1a）DRAM电路，强化基础技术。
三星电子原本计划以HBM4作为与竞争对手一较高下的决胜点，但由于客户需求快速转向HBM3E 12层产品，公司现阶段的重点已调整为确保HBM3E 8层和12层产品顺利通过质量测试。
HBM3E 供应进入关键阶段三星计划在今年第一季度末向主要客户供应HBM3E 8层产品，并力争在上半年完成12层产品的交付。为应对紧张的交付期限，三星甚至将研发下一代HBM4的部分人力投入到HBM3E项目中，此次访问被认为HBM3E供应进入最后冲刺阶段。
英伟达高管于3月10日访问三星天安工厂，重点审计HBM3E的封装工艺。这是继2024年12月第一次实地考察后的第二次访问，表明英伟达高度重视产品质量。
三星在上月的财报电话会议中表示，计划在2025年底1季度末向“关键客户”供应HBM3E（8 层）产品，并计划在今年上半年内交付HBM3E 12层芯片，以满足客户需求。
报道称三星为提升HBM3E的良率和稳定性，甚至将原本专注于下一代HBM4的研发团队调至HBM3E项目，此外，三星还在优化先进DRAM的良率，以确保交付顺利进行。
HBM3E作为高带宽内存领域的关键产品，其供应情况将直接影响三星与SK海力士在HBM市场的竞争格局。三星原本将HBM4视为市场决胜点，但由于客户需求迅速转向HBM3E 12层产品，公司目前优先聚焦于HBM3E的质量测试和交付，此次英伟达的审计结果，将决定三星能否在激烈的市场竞争中占据有利位置。
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