部分国产碳化硅MOSFET厂商“避谈栅氧可靠性”的本质：电性能的显性参数与栅氧可靠性的隐性质量的矛盾部分国产碳化硅MOS
效率高达98.x%的工商业储能变流器PCS的SiC碳化硅模块解决方案揭秘核心技术优势SiC MOSFET特性耐高压高温：
车载充电机OBC中部分国产SiC MOSFET“爆雷”的本质原因：栅氧可靠性的深度解析栅氧工艺和电性能指标的矛盾：部分国
深度分析碳化硅功率模块BMF240R12E2G3在高速风机水泵变频器中轻载时的效率优势在高速风机水泵变频器中，轻载（低负
为什么现在越来越多的客户一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商聊的第一个话题就是碳化硅MOSFET的栅氧可靠性，碳
随着全球新能源汽车市场增速放缓，SiC碳化硅模块的应用重心正从汽车领域转向工业市场。这一趋势是技术特性、成本博弈、市场需
从外资IGBT模块厂商拒不承认自己IGBT模块有品质问题，并且篡改实验报告，最终被国内头部电力电子厂商的功率器件专家团队
在国产SiC（碳化硅）功率模块全面取代进口IGBT模块（绝缘栅双极晶体管）的时代变革中，电力电子研发工程师需从技术认知、
国产碳化硅（SiC）模块全面取代进口绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块的历史使命，根植于技术突破、供应链安全、市场需求及国
IGBT的高温漏电流与电压阻断能力固有缺陷是其被新一代电力电子设备加速淘汰的根本原因一、IGBT的高温漏电流与电压阻断能
质量乱象：未通过可靠性关键实验的国产SiC功率模块应用隐患与后果国产SiC（碳化硅）功率模块在APF（有源电力滤波器）和
深度分析：从IGBT模块可靠性问题看国产SiC模块可靠性实验的重要性某厂商IGBT模块曾因可靠性问题导致国内光伏逆变器厂
从深圳V2G联网试验看国产SiC模块在双向充电桩应用的市场潜力深圳近期开展的全国最大规模车网互动（V2G）实测活动（覆盖
针对国产碳化硅（SiC）功率半导体行业的无序竞争问题，可借鉴国家发改委整治汽车行业乱象的经验（如强化市场监管、打破地方保
陈百强的经典歌曲《一生何求》以对人生得失的深刻叩问，映射了当代国产碳化硅（SiC）功率半导体创业者在技术突围与产业变革中
国产碳化硅（SiC）模块在高压变频器MV领域全面升级替代进口绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，是电力电子技术迭代、国产化
在电力电子技术从硅基IGBT向碳化硅（SiC）功率半导体加速迭代的背景下，电力电子研发工程师的核心竞争力已从“传统设计能
今天与一位长期使用IGBT模块的工业焊机客户老板喝茶，聊到了碳化硅MOSFET长期工作可靠性的话题，工作3-5年后的失效
中国功率半导体行业的发展历程是一部从技术引进到自主创新、从受制于人到逐步突破的筚路蓝缕奋斗史。从陈星弼院士的超结MOSF
金刚石MOSFET作为终极高压功率半导体的潜力金刚石MOSFET被认为是下一代功率半导体的重要发展方向，尤其在高压、高温
签名：推动国产SiC碳化硅模块取代进口IGBT模块
