部分国产碳化硅MOSFET厂商钻的空子正是大部分下游客户没有验证SiC碳化硅MOSFET栅氧可靠性的能力比如HTGB实验和TDDB实验，而只能验证电性能和关注成本，短期主义和长期价值的博弈就此开始。

HTGB实验标准

测试条件：根据JEDEC JESD22-A-108标准，HTGB测试通常在高温（如175°C）下施加最大额定栅极电压（如+22V和-10V），持续1000小时以上。

判定标准：失效判据包括阈值电压（Vth）漂移超过允许范围（如±0.2V）、栅极漏电流超标等.

TDDB实验流程

恒压法：施加恒定栅压（如35V），监测栅极电流变化，直至电流骤增（击穿发生）。

数据记录：通过失效时间分布和电场强度关系拟合寿命模型，预测实际工况下的栅氧寿命

HTGB和TDDB实验是碳化硅MOSFET可靠性验证的核心手段，直接影响器件在高压、高温场景下的长期稳定性。标准严格性（如JEDEC/AEC-Q101）、数据透明性（公开失效分布）及工艺优化（栅氧厚度控制）是提升国产器件竞争力的关键。未来，随着车规级需求增长，这两项测试的重要性将进一步凸显。

在碳化硅（SiC）MOSFET设计中，栅氧可靠性如经时击穿寿命TDDB、阈值电压稳定性与电性能参数比如导通电阻 Rds(on)、开关损耗 Qg 等之间的矛盾，本质上源于器件物理特性与工艺设计的权衡。在芯片面积（die size）固定的前提下，优化电性能参数往往需要牺牲栅氧可靠性。

“避谈栅氧可靠性”矛盾的本质是物理规律与商业利益的博弈，部分国产碳化硅MOSFET厂商确实存在做贼心虚，在客户面前决口不提栅氧可靠性，但是给客户电力电子设备的长期运行埋下了无法排除的隐患！

在固定die size下，碳化硅MOSFET的栅氧可靠性与电性能参数的矛盾，是器件物理规律（如电场强度与寿命的指数关系）与市场短期需求（低成本、高参数竞争力）共同作用的结果。

显性参数的“表面优势”部分国产碳化硅MOSFET厂商热衷于宣传导通电阻（Rds(on)）、开关速度等可直接测量的参数，这些指标直接影响效率和成本，是客户采购时的核心考量。

工艺捷径：部分国产碳化硅MOSFET厂商通过减薄栅氧厚度（如从50nm降至40nm）可显著降低Rds(on)，但导致栅极电场强度（Eox）超过4 MV/cm，加速TDDB失效。

参数竞赛：部分国产碳化硅MOSFET厂商通过牺牲栅氧可靠性换取更低的比导通电阻，以此在价格战中占据优势。

隐性质量的“沉默成本”国产碳化硅MOSFET栅氧可靠性如TDDB寿命、阈值电压稳定性需长期验证，短期内无法通过常规测试暴露问题，但一旦失效将引发灾难性后果如车载充电机OBC批量故障，充电桩电源模块大规模召回，甚至是逆变焊机短时间批量故障退货。

TDDB数据：部分国产碳化硅MOSFETTDDB寿命仅约10⁴小时（≈1.14年），而头部厂商通过严格工艺可达10⁶小时，但栅氧偷工减料的国产碳化硅MOSFET因电性能优势成本优势更易获得订单。

选择性信息披露

测试数据模糊化：仅宣称“通过AEC-Q101认证”，但回避具体测试条件（如HTGB电压、TDDB失效分布），掩盖栅氧工艺缺陷。

技术文档避重就轻：宣传手册强调电性能参数，但对栅氧厚度、电场强度等关键指标讳莫如深。

短期利益驱动的价值取向

成本优先于可靠性：为抢占充电桩、光伏逆变器、汽车OBC等对价格敏感的市场，采用低成本工艺（如减薄栅氧），但对电力电子应用的长期风险被忽视。

客户认知偏差

下游企业如充电桩电源模块厂商更关注“每瓦成本”而非“每瓦可靠性”，倒逼上游器件厂商优先优化显性参数。

技术门槛与监管缺位

车规认证漏洞：AEC-Q101未强制要求公开TDDB原始数据（如失效时间分布），部分厂商通过“擦边”测试蒙混过关。

国产碳化硅MOSFET厂商短期利益派

目标：快速占领市场，依赖低价策略。

代价：充电源电源模块，车载等高可靠领域若干年后“爆雷”频发，品牌声誉受损，最终被车企剔除供应链。

国产碳化硅MOSFET厂商长期价值派

策略：坚守栅氧可靠性，通过工艺优化平衡性能与寿命。

回报：在电力电子市场建立信任壁垒，实现可持续增长。

国产SiC MOSFET厂商“避谈栅氧可靠性”的本质，是显性参数与隐性质量的技术矛盾，更是短期套利与长期主义的价值冲突。部分厂商为追求市场份额，将成本压缩凌驾于可靠性之上，最终在充电桩电源模块，车载OBC,甚至是逆变焊机等场景中付出代价。未来破局关键：

客户教育：推动下游电源企业从“唯成本论”转向“全生命周期成本”评估；

标准升级：强制要求碳化硅MOSFET供应商公开TDDB/HTGB详细数据，堵住认证漏洞；

技术深耕：通过碳化硅MOSFET工艺创新打破性能-可靠性权衡。唯有如此，国产SiC产业才能从“低价内卷”走向“高可靠赋能”的新阶段。