针对国产碳化硅（SiC）功率半导体行业的无序竞争问题，可借鉴国家发改委整治汽车行业乱象的经验（如强化市场监管、打破地方保
陈百强的经典歌曲《一生何求》以对人生得失的深刻叩问，映射了当代国产碳化硅（SiC）功率半导体创业者在技术突围与产业变革中
国产碳化硅（SiC）模块在高压变频器MV领域全面升级替代进口绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，是电力电子技术迭代、国产化
在电力电子技术从硅基IGBT向碳化硅（SiC）功率半导体加速迭代的背景下，电力电子研发工程师的核心竞争力已从“传统设计能
今天与一位长期使用IGBT模块的工业焊机客户老板喝茶，聊到了碳化硅MOSFET长期工作可靠性的话题，工作3-5年后的失效
中国功率半导体行业的发展历程是一部从技术引进到自主创新、从受制于人到逐步突破的筚路蓝缕奋斗史。从陈星弼院士的超结MOSF
金刚石MOSFET作为终极高压功率半导体的潜力金刚石MOSFET被认为是下一代功率半导体的重要发展方向，尤其在高压、高温
国产SiC单管B3M013C120Z在光储应用上替代英飞凌进口IGBT单管IKY140N120CH7的核心原因分析倾佳电
国产碳化硅（SiC）MOSFET行业近年来在政策扶持、市场需求和技术突破的推动下快速发展，但伴随的行业乱象也暴露出深层次
工商业储能变流器（PCS）加速跨入碳化硅（SiC）模块时代的核心原因，可归结为技术性能突破、经济性提升、政策驱动及市场需
中国电力电子产业从2025年全面跨入碳化硅（SiC）功率器件时代，是技术、市场、政策与产业链协同发展的必然结果。以下从技
充电桩电源模块客户担忧现有碳化硅（SiC）MOSFET供应商的栅极可靠性问题可能在未来三五年内“爆雷”，其科学依据主要基
近期很多充电运营商反应采用国产碳化硅MOSFET的工作仅仅一两年的充电桩电源模块故障频率越用越高，结合常见碳化硅MOSF
中国汽车产业通过“换道超车”战略，在新能源汽车领域实现了从技术跟随到全球引领的跨越式发展。这一过程中，国产碳化硅（SiC
回顾过去二十年自主品牌汽车通过技术突破、产业链整合与政策支持逐步击败外资品牌汽车的发展历程，不难看出英飞凌、富士等外资I
从英飞凌、富士电机、三菱电机等国际巨头的功率模块发展历程来看，国内SiC芯片设计公司与模块封装公司频繁发布的“战略合作”
大半年以来，我在业务拜访中感觉到客户要用国产SiC模块取代现有的进口IGBT模块老旧方案的意愿越来越强烈，特别是国产Si
在北方和客户交流时，有客户问我为啥SiC➕IGBT的混合电驱动方案23年初这个概念炒的很火，但现在感觉销声匿迹了，综合行
进入2025年伊始，外资品牌IGBT模块比如英飞凌，富士等大幅度降价超过30%来绞杀国产功率模块，面对外资功率模的疯狂价
采用碳化硅（SiC）功率模块的工商业储能变流器（PCS）之所以被称为“印钞机”，是因为其在效率、成本、可靠性和系统集成等
签名：推动国产SiC碳化硅模块取代进口IGBT模块
