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k-Space Associates 宣布其最近的 VDA 6.3 P6 流程分析/生产评估获得了“A”结果，即可能的最
碳化硅光电二极管对于寻找火星上过去的水影响和过去生命的迹象至关重要总部位于柏林的 Sglux 公司生产的 SiC 紫外光
硅“TOPCon”太阳能电池结合了 GaInP 和 GaInAsP 以及金属/聚合物纳米涂层德国弗劳恩霍夫太阳能研究所
在本周于格拉斯哥举行的欧洲光通信会议 (ECOC) 上，比利时根特大学 IMEC 研究小组 IDLab 的研究人员团队展
数据通信用高速 VCSEL 和光电二极管解决方案提供商 Trumpf Photonic Components 和总部位于
Nexperia 宣布与国际先进电子元件供应商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) Gm
Wise-integration 是法国氮化镓 (GaN) 和电源 GaN IC 数字控制领域的先驱，它与 Savoy
具有先进应用的材料的许多有趣的功能特性通常依赖于电子-声子耦合强度。 然而，耦合强度被认为是一种固有的材料特性，这限制了
Riber 和 IntelliEPI 证明最大的 MBE 系统可用于 III-V 化合物半导体的大规模生产外延设备制造商
公司将在 Laser World of Photonics 上展示 IR 发射器和 VCSEL 的测试产品组合在 Las
IceMOS 开发耐辐射高压超级结 SiC MOSFET英国航天局已授予 IceMOS Technology 300,0
新的芯片结构防止了浪涌电流拥挤，并将有助于缩小铁路牵引系统的规模三菱电机开发了一种嵌入肖特基势垒二极管（SBD）的SiC
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公司将探索提高激光增材制造速度和精度的方法工业蓝色激光公司Nuburu与GE Additive签署了一项联合技术协议，以
公司将合作开发下一代电动汽车电子轴的半导体解决方案日本电产公司和瑞萨电子公司已同意联手开发下一代E-Axle（X-in-
垂直GeSn晶体管可以实现低功率、高性能芯片CEA Leti研究科学家已经证明，电子和其他电荷载流子在锗锡中的移动速度比
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