ECLIPSE项目旨在建立先进的GaN外延片材料的生产和供应

总部位于美国的 GaN 功率公司 Transphorm 已获得美国国家安全技术加速器 (NSTXL) 高达 1500 万美元的合同。

该合同针对 ECLIPSE 项目，委托 Transphorm 制造先进的 GaN 外延片。 该公司表示，为该项目做出贡献的机会凸显了其在先进 GaN 材料领域及其 MOCVD 制造基础设施方面的知识产权、知识和专业知识。

“毫无疑问，先进 GaN 材料的价值和潜力在广泛的应用中是显而易见的。 我们开发了多个高功率密度平台，这些平台具有创纪录的性能和效率优势，适用于功率转换和射频应用，”Transphorm 首席技术官兼联合创始人 Umesh Mishra 说。

“这种类型的创新是 Transphorm 擅长的地方，因为它具有强大的核心外延材料多功能性以及其设备和制造能力。 我们一直致力于发展和改进 GaN 技术的所有方面——材料、设计和工艺。 我们现在期待 ECLIPSE 计划得到强有力的执行，以增强我们提供先进 GaN 外延片的能力。”

永霖光电-UVSIS-UVLED紫外线应用专家-独家发布