前不久，Mate70系列发布的消息引发了业界的广泛关注，如华为所说，该新机的所有芯片都具备国产化的能力！尤其是麒麟9020芯片，据说只有7nm工艺，可它的实际性能表现却丝毫不比采用台积电4nm工艺的高通骁龙8+逊色。

这意味着，国内已经搭建出了至少7nm工艺的芯片产业链。众所周知，近些年美方联合日、荷等盟友频频加码光刻机限制，在他们看来，只要“锁死”EUV等中高端光刻机，那么大陆就无法突破14nm，只能停留在成熟芯片领域。

可让美霸权主义做梦也想不到的是，即便没有中高端光刻机，华为等中企通过小芯片和超线程等创新技术，依然打破了封锁。对此，就连ASML也公开发声，称华为和中芯国际在芯片方面进步巨大。

不过，ASML又话锋一转，称华为和中芯国际虽然进步很大，可由于缺少EUV光刻机，与台积电、三星和英特尔相比，仍然存在10-15年的差距。

个人认为，ASML的这番表态多少夹杂了点私心，毕竟，它是全球目前唯一能生产EUV光刻机的厂商，如果承认绕开该设备也能制造高精尖芯片，那岂不是砸了自己的“饭碗”？以后谁还会花费数十亿去购买如此高昂复杂的设备。

其实ASML很清楚，单论制造技术，其实中芯国际并不比任何竞争对手逊色，但它为了渲染EUV光刻机的不可替代性、重申自身在领域内独一无二的地位，只能以该设备为基础，拿工艺、良率和稳定性来强调差距。

但让ASML猝不及防的是，反转竟来得如此之快。就在12月30日，哈工大公布了一则关键信息，由樊继壮教授团队研发的“放电等离子体极紫外光刻光源”项目，荣获了科技大赛的一等奖！

对于正处爬坡破冰阶段的国内光刻机产业而言，该技术的突破可谓意义重大，它所提供的中心波长为13.5nm的极紫外光，能够满足极紫外光刻市场（EUV）对光源的迫切需求，不仅能量转化率高，而且具备造价较低、体积较小、技术难度较低等多项优势。

值得一提的是，除了哈工大，此前长春光机所在EUV光源领域也取得了不俗的研发成果，只是两者方式不同，哈工大采用的是放电等离子技术，而长传光机所则是通过激光等离子的方式，完成了对EUV光源的制备。

国内经过数年的沉淀，已经扭转了当初在EUV光刻机方面十分被动的“卡脖子”局面。就拿光源来说，我们不仅实现了突破，而且现在手握两套可替代方案。更让人感到振奋的是，在EUV的其他核心技术，如双工件台系统、物镜、EUV多层膜等方面，国内企业与科研机构也积累了大量的技术专利。

对此，不少外媒纷纷表示，中国芯崛起的脚步，基本已经挡不住了，也许用不了几年，美西方构筑的包括EUV光刻机在内的所有垄断，将会被中国全面打破。很显然，ASML担心的情况还是出现了。

由于无法对大陆市场提供EUV设备，ASML本就白白损失了巨额利润，而一旦大陆市场拥有属于自己的EUV，并且实现了量产，那么该设备迟早会像曾经的盾构机一样被打成白菜价，届时，不只是美半导体供应商，还有ASML等设备厂商，恐怕都将迎来至暗时刻。