这两天，法国媒体报道了中国在高端极紫外EUV光刻机领域取得的重大突破，称其为“打破荷兰ASML垄断”，是中国首项中国专利，并称中国成为全球创新领军者。法国媒体详细报道了上海微电子公开的“极紫外发生装置及光刻设备”，这是中国在EUV光刻机领域公开的首个设备专利，也就说，中国已经研发出国产的EUV光刻机。

上海微电子是咱们国家最主要的光刻机制造厂商，创始人贺荣明被誉为是“中国光刻机之父”，从上世纪90年代开始，上海微电子就开始投入大量的人力和财力制造光刻机，90纳米，80纳米光刻机均在上世纪取得突破，在中国被打压制裁之后，上海微电子在2022年的时候，分别突破了28纳米的光刻机和14纳米的光刻机，这些光刻机都是DUV光刻机，解决了我国中低端芯片生产迫切的光刻机需求。

在极紫外光刻机领域，上海微电子也没有闲着，并且在研发的过程中取得了重大突破，"极紫外发生装置及光刻设备"专利公开的同时，另外一个上海微电子的专利“电场约束与氢自由基反应技术”的专利也随之公开，这个专利主要是解决EUV光刻机在工作过程中，产生带电粒子回收问题，属于EUV光刻机的关键技术之一。

中国在EUV光刻机技术领域突破了好几个关键技术，上海微电子的两个两个专利以及哈尔滨工业大学公开的“放电等离子体极紫外光刻光源”专利的结合，意味着中国自主制造的光刻机突破EUV光刻机的整机制造，核心光源和EUV光刻机工作过程中的带电粒子回收，为EUV光刻机的上线生产奠定了基础。

国产EUV光刻机随着正式通过国家验收之后，已经进入了上线试生产阶段，通过试生产对设备进行优化升级，最终达到高良率高端工艺制程芯片的生产，西方想通过卡光刻机脖子延缓中国信息产业和芯片产业的发展已经变得不可能了。

法国媒体称中国已成为全球创新的领军者，中国有强大的理工人才基础，看看最近中国科技的井喷爆发，西方一定会看到中国科技的韧性和实力，大国崛起和伟大复兴已经没有了阻碍，强大的人才基础，是中国引领世界科技发展的坚强保证。