产品结构线路连接示意图
MOS/PTC与cell为串联关系,电容C1相当于并联。
COB MM6352电路图
C1相对于与cell并联
COB MM6352 Layout
电池在这端,背面朝上
COB MM6352 X-Ray
COB MM6352 C1的剖面
COB MM6352 C1 crack
C1异常的影响性
C1异常的电阻量测法
Cell与PCM形成通路时无法测量,必须断开一极以上。红表笔对B+/V+黑表笔对B-如果逆向,则均能测到约几十到几百KΩ,不作为判定依据。C1 spec ≥5.0 x 108 Ω=500 MΩ.如果测试电阻值是跳动的,则表明是正常,如果能测到稳定值,例如数百至几兆欧姆,则是NG。C1异常的漏电流量测法
电池断开一极,建议负极。将电流表串联到电池和保护板之间:一端连接cell负极,另一端连接PCM负极。测到的值即为漏电流值。用万用表时,因精度问题测试不到几个到几十uA级电流。mA级则可以测到。建议用高精度电流表,例如HP或安捷伦的34401A万用表。C1异常的成品观察法
C1异常,体现在漏电流大,对电池放电,故可以从电池的压降上进行判定。将电池存放一段时间,记录存放前后的电压,对压降进行统计分析。
W0703 MOSFET异常的影响
MOS脚位的锡,有可能在后续的焊接加工中熔化,或者受热或静电造成断脚。
可能的影响性:
1、电阻变大,与虚焊相同的影响。带负载的状况下无法供电或者电压变很低。
2、保护功能失效。
目前0703保护板主要发现是脚位锡丝熔化,输出电压低。
分析方法:
1、测试Cell两极电压(铝/镍极耳)与pack两极电压(红/黑导线)是否相同。
测试B-和V-之间的电压与电阻亦可(测电压则必须与cell相连)。
2、保护功能是否正常。