狮门4月1日讯，半导体行业迎来了一次具有里程碑意义的合作：欧洲芯片巨头意法半导体（STMicroelectronics, NYSE:STM）与中国第三代半导体领军企业英诺赛科（Innoscience）正式签署了全球氮化镓（GaN）技术联合开发与制造协议。

根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域的广泛应用。此外，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。这种灵活的供应链布局将拓展双方的氮化镓产品组合和市场供应能力，提升供应链韧性，满足更广泛的应用场景下的客户需求。

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥IDM模式的优势，为全球客户创造价值。意法半导体将加速氮化镓功率技术部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合，并通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。”

战略合作：从碳化硅到氮化镓

此次合作是意法半导体在中国市场持续布局的重要一步。此前，意法半导体已与多家中国半导体厂商取得了一系列重要合作成果：

• 2023年：与三安光电在重庆成立合资公司，建设碳化硅晶圆厂，计划2025年实现量产。

• 2024年11月：与华虹半导体达成协议，在深圳推进40nm微控制器（MCU）芯片生产，目标2025年底投产。

最新合作进展

截至2025年4月，意法半导体在中国的合作进一步深化：

• 华虹无锡40nm eNVM技术专线：

• 在华虹无锡厂复制意法半导体欧洲12英寸产线的40nm嵌入式非易失性存储（eNVM）工艺，确保车规级MCU良率超95%。

• 专用生产线预计2025年底交付首批产品，初期月产能达1万片晶圆，2026年扩至3万片，优先服务中国本土电动汽车及边缘AI市场。

• “中国设计、中国制造”战略深化：

• 意法半导体在中国布局“前端晶圆厂（华虹代工）+后端封测厂”的端到端制造链，实现STM32系列MCU的100%本地化供应。

• 双方工程师联合优化40nm工艺，突破存储单元微型化技术，使MCU面积缩减40%，功耗降低25%。

• 市场与生态拓展：

• 合作开发符合AEC-Q100标准的车规级MCU，支持800V高压平台及域控制器架构，已获比亚迪、蔚来等车企订单。

• 针对中国智能电网及AI服务器需求，推出集成边缘计算功能的MCU，算力达500GOPS，功耗仅5W。

合作的战略意义

此次合作不仅将推动氮化镓技术的快速发展，还将在多个方面带来深远的产业变革：

• 成本优势：中国40nm晶圆代工成本较欧洲低35%，助力意法半导体在价格敏感型市场（如消费电子）保持竞争力。

• 地缘风险对冲：通过“China-for-China”模式，将中国区营收占比从2024年的18%提升至2027年目标的30%。

• 技术反哺：意法半导体将中国市场的创新实践（如快充协议、光伏逆变算法）引入全球产品线，加速技术迭代。