3nm芯片是今年的重头戏，无论是三星还是台积电，都早就宣布将会在今年量产3nm芯片。

不同的是，三星早就展示了采用GAA工艺生产的3nm芯片，而这种工艺的芯片将会在2023年量产上市，传统工艺的3nm芯片已经在6月份量产。

台积电方面表示将会在今年下半年量产3nm芯片，结果在量产消息没有到来之前，却传来的英特尔、苹果等厂商推迟3nm芯片的消息，到2023年才推出。

甚至有消息称，因为台积电3nm芯片性能等提升不明显，成本高，台积电也计划放弃N3工艺量产的3nm芯片，到2023年直接采用N3E工艺量产3nm芯片。

然而，就在各种消息满天飞之际，刘德音正式就3nm芯片表态了，称追求更极致的能效，是半导体技术创新的核心。

半导体在节能的努力，还会持续下去，台积电即将量产的3纳米制程，即是朝此方向前进。

刘德音突然做出这样的表态，就外媒表示，台积电相当于对华为摊牌了。

都知道，华为海思芯片订单几乎都是交给台积电代工制造，每年给台积电贡献超过14%的营收，是仅次于苹果的第二大客户。

由于芯片等规则被修改，台积电因为不能自由出货失去了华为订单，但台积电方面宣布在美建厂，表示将会与客户一起努力解决问题。

再加上，台积电持续推进先进工艺，并加大了对国产设备的使用力度，这些动作都被看作是台积电争取继续代工华为订单的表现。

如今，刘德音却做出上述表态，无疑是再次肯定了台积电追求的是技术领先。

都知道，台积电的芯片制造技术领先，主要是因为两个方面，一个自身芯片制造技术，一个是ASML的支持。

前者就不用说了，后者是ASML优先给台积电出货了大量的EUV光刻机。

数据显示，台积电安装的EUV光刻机超过80台，这几乎是ASML总产能的一半，得益于数量众多的EUV光刻机，台积电量产了全球63%的EUV晶圆。

也就是说，ASML的EUV光刻机让台积电拥有了更多先进制程芯片的产能，也是成了芯片制造技术领先的基础。

如今，台积电在追求更高的能效，说白了就是让芯片有更好的性能表现，但能耗还得降低。

这就需要用到ASML更先进的NAEUV光刻机，该光刻机主要是生产2nm及以下制程的芯片，预计2023年交付厂商测试，2024年可能会量产商用。

但ASML的研发中心和工厂有一半都在美，台积电用NAEUV光刻机就相当于使用了美技术，自然就不可能自由出货。

另外，台积电追求更好的能效，就目前而言，其基本上就不用考虑其它厂商的光刻机设备或者芯片制造技术，这意味着建设非美技术芯片生产线也不现实了。

所以在刘德音表态后，外媒才说台积电相当于对华为摊牌了。

尽管如此，但华为也不担心，因为华为正在研发堆叠技术芯片、光电芯片等，前者将会更快实现，让华为在短时间内就有高性能芯片可用。

更何况，华为方面也明确表示，未来三五年内，就有非美技术的芯片生产线出现，届时，华为芯片问题将会逐渐得到解决。

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