5月25日，2021数博会——第五届大数据科学与工程国际会议在贵阳举行。中国工程院院士吴汉明在会议上发言称，EUV光刻机是一个全球化的结晶，如果让一个国家或者一个地区做一个光刻机是不现实的。然而，世界上唯一的高端光刻机制造商荷兰阿斯麦（ASML）的CEO却曾担心，如果因美国的出口新规而停止对华出口光刻机，大概3年后，中国自己就会掌握这个技术。

吴汉明院士

事实上，他们两个人的观点都没有错！别急，接下来的分析会让你豁然开朗。

一台最高端的EUV光刻机大概需要十万多个零部件，超过全球5000家供应商，以及通过全世界的顶尖技术集成才能做出来。在所有零部件当中，荷兰腔体部件和英国真空部件占了32%，美国光源占了27%，德国光学系统占了14%，日本的关键材料占了27%。据了解，目前没有任何一个国家能够单独造出EUV光刻机，即便是中端光刻机（DUVi）也做不到。

EUV光刻机

在没有限制的情况下，全世界能造原子弹的国家超过10个，能造氢弹的国家也至少有5个。然而却没有一个国家能造出高端光刻机，即便是美国也做不到。由此可见，光刻机的研制难度远超研制原子弹和氢弹。事实上，DUVi光刻机和EUV光刻机都是集全人类智慧的结晶，其中不少零部件精度要求都达到纳米级别的水平，相比之下，高端机床精度也只能亚微米级别。由于中端、高端光刻机太过于精密，即便是整机调试也要花费几个月甚至几年时间才行！可想而知，光刻机的研制难度究竟有多大！

既然难度如此之大，那是否意味着我国短期内造不出中端、高端光刻机呢？

那倒也不是，事实上，我国的DUVi光刻机已经快要成功了，EUV光刻机也很可能在2024年之前造出来！

1、国产DUVi光刻机进展。

2020年12月7日，有国内媒体报道称，我国知名半导体设备制造商——上海微电子设备公司（SMEE）采用国产以及日本零部件研发的28nm第二代深紫外（DUV）光刻机有望在2021年4季度实现交付。

事实上，早在2019年11月13日，江苏省开发区协会就曾发布了一篇透露DUVi光刻机进展的新闻。文章称2020年28纳米国产光刻机将完成整机集成。

江苏省开发区协会官方网站发布的新闻

还有很多消息人士也透露过我国DUVi光刻机的进展，就不一一说明了。

业界专家预计，最快今年国产DUVi光刻机就将完成调试并交付，最晚2022年也能交付使用。

2、国产EUV光刻机进展。

EUV光刻机是用于制造7纳米及更先进制程芯片的光刻机，早在2017年，我国就突破了关键技术。

2017年《中国科学报》发布了一篇名为《“极紫外光刻关键技术研究”通过验收》的消息。这说明我国已经突破EUV光刻机关键技术，距离造出整机已经不远了。

2017年7月的官方报道

以世界唯一的高端光刻机制造商荷兰阿斯麦的EUV光刻机研制进度为例。

2006年推出了第一台EUVL产业化试验样机ADT（ALpha Demo Too1)，其NA为0.25，获得了32 mn的分辨率；2010年，通过升级光刻平台至TWINS CAN NXE，降低系统杂散光(Flare)，优化照明参数等，成功研制NXE 3100，实现了27nm的分辨率，并通过提高光源能量，使产量达到60WPH；2012年研制的NXE3300B将物镜NA大至0.32，并采用高效率环形照明系统，进一步提高产率，实现了22nm线条的曝光，2013年NXE3300B的研制使NA增大至0.33·并预设六种不同的照明方式，使分辨率提高到18/16nm 。

简单计算得知，荷兰阿斯麦的EUV光刻机从突破关键技术到造出实用化的光刻机总计耗时7年时间。通常情况下，追赶者拥有探路者没有的后发优势，在研发投资源得到充分保障的情况下，可以用更短的时间造出同样的装备。按照2017年我国突破EUV关键技术计算，不出意外的话，最晚到2024年我国就能造出实用化的国产EUV光刻机。据了解，我国已公开宣布，研制光刻机采用挂帅揭牌的形式推进，研发进度更快了。最终我国很可能在2023年，甚至2022年就造出实用化的EUV光刻机！

通过上述介绍，我们发现，荷兰高端光刻机制造商阿斯麦CEO担心我国三年后掌握光刻机技术还是挺靠谱的！

采用EUV光刻机5纳米光刻工艺制造的华为麒麟9000芯片

美国都无法单独造出EUV光刻机，难道我国又开挂了，竟然比美国还要厉害？

在芯片制造领域，我国是后来者，中间中段20年没有持续研发光刻机，说领先美国或者弯道超车，估计连我们自己人都不信。事实上，即便我们能在2022年、2024年按时造出DUVi光刻机、EUV光刻机，也还是离不开进口零部件。

如此看来，吴汉明院士的说法也并非危言耸听。

其实也不是。

EUV光刻机所需零部件众多，而且除了关键核心零部件之外，我国还有大量非核心零部件造不出来。然而，只要我国能够自行制造关键核心零部件，就不用担心非核心零部件断供导致我国光刻机无法生产。

主要原因如下：

1、只有DUVi、EUV光刻机关键核心零部件买不到，其他非核心零部件大多有多家外国企业能够制造，并不稀缺。

举个例子，部分机床加工刀具我国暂时造不出来，但是却能够从多个国家进口，例如从日本、德国、瑞士进口。EUV光刻机非核心零部件也是如此。

2、DUVi、EUV光刻机非核心零部件数量众多，反华势力想要断供也一时半会搞不清那些零部件我国能造出来。

EUV光刻机非核心零部件中很大一部分我国都能自行制造，只有小部分我国造不出来，但是反华势力根本搞不清楚我国到底有哪些零部件造不出来。即便他们对我国国内所有光刻机零部件供应商均断供也没用，因为我国随时可以通过“皮包公司”或者其他公司的名义购买。

举个例子，家用轿车需要轴承，皮卡车、SUV也同样需要轴承。即便家用轿车被断供轴承，我们也可以皮卡车、SUV的名义寻求购买轴承。同理，除非所有发达国家均不和我们做生意，否则根本无法阻止我国购买我国暂时造不出的EUV光刻机非核心零部件。

3、即便个别DUVi、EUV光刻机非核心零部件因断供无法获取，其突击研制速度也很快，并不会耽误很长时间。

以光刻胶为例。业内人士介绍，实际上光刻胶研制难度并没有外行人想象的那么大。光刻胶的成分也就哪几种，无非就是多试验，想要快速研制出来，可以短时间高强度投入，同时测试很多种配比和调配次序，很快就能找到制造方法。前两年，我国连KrF光刻胶都无法自行制造，如今我们的ArF光刻胶都已经通过测试了。

2020年12月18日证券时报的报道

这就好比，我们可以从国外购买我国暂时造不出的机床加工刀具，用来加工任何产品，哪怕是军用产品，但是外国供应商却不敢断供。因为即便断供，我们也能很快研制出来，只是需要花费大量资源而已。到时候，他们就彻底失去我国这个大市场，得不偿失。

事实上，只要突破研制难度很大关键核心部件，我国就能造出国产DUVi、EUV光刻机。如果非要强调所有零部件全部国产化，那就会造成国产DUVi、EUV光刻机迟迟无法下线，而且还需要付出大得多的研制成本、研发力量。这无疑是吃力不讨好的事，而且也没必要。

众所周知，全球芯片制造十分依赖美国技术，我国也不例外。经过努力，我国芯片制程工艺已经发展到7纳米的水平，但还是离不开美国技术。

依靠纯国产技术，我国只能做到90纳米级别。然而，这并不意味着我们的芯片生产线国产设备只能支持到90纳米制程级别。实际上，我国的不少芯片制造环节已经可以支持到14纳米甚至7纳米级别了！据统计，对于28纳米制程芯片生产线设备，除光刻机之外的少数材料和设备，我国都已经有国产化替代品。

芯片制造光刻工序

如果能造出光刻机，我国也就能建成纯国产28纳米制程芯片生产线了，而且仅需通过简单升级，我国就能在短时间内造出14纳米甚至7纳米制程芯片！

由此可见，高端光刻机对我国来说就是制约半导体发展的最大拦路虎！如果能够造出中端、高端光刻机，也就没有国家敢肆意妄为了！

对此，你怎么看呢？欢迎共同探讨。