11月13日消息，美国存储芯片巨头美光面临长江存储的控诉！据悉，11月9日，美国加州北区法院受理了长江存储诉美光及其子公司的专利侵权案。长江存储称，美光涉嫌侵犯了公司的多项3D NAND技术专利，并用于旗下的固态硬盘产品中。这可以说是中国芯片产业掌握前沿技术的里程碑象征！

以往多数是美国或者韩国与湾湾芯片公司起诉中国大陆芯片公司侵权，比如美光起诉晋华，台积电起诉中芯等。各种官司互有胜负。但实事求是的说，过去对方赢得多，我们赢得少，中芯创始人还因此痛别自己创立的公司。

但是这次不同，长江存储敢上门去起诉，而且在美国当前反华政治正确非常严重的情况下，正常都会偏向美国公司的背景下还是敢去起诉，证据应该是相当确凿的。

据悉，此次长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10，950，623”“11，501，822”“10，658，378”“10，937，806”“10，861，872”“11，468，957”“11，600，342”和“10，868，031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

显而易见，这并不是针对美光某一项技术或某单一产品的纷争，而是覆盖多项专利与多产品线的起诉，长江存储肯定是前期做足了工作，有备而来。

这里要说下，NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造SSD（固态硬盘）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%，相比之下少得可怜。

长江存储即在起诉书中称，美光在未经授权的情况下使用长江存储专利技术来与进行市场竞争，保护其市场份额，且美光未就使用上述专利支付合理费用，侵犯了长江存储的利益，遏制了后者的创新动力。其还指控称，美光在自己的专利文件中引用了长江存储相关专利，证明美光了解长江存储的专利组合非常重要，但美光并未采取任何实际行动寻求获取长江存储专利授权。此次诉讼是为了解决美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。

另外长江存储在起诉书中明确自己已经不再是行业新秀，而是“全球3D NAND市场只重要参与者”。其实早在去年半导体研究机构TechInsights就发布行业报告称“长江存储如今取得的成就令人惊叹，他们现阶段已经一举超越美光，成为全球3D NAND闪存领域的领导者”，长江存储这波相当于再次向美国自报家门。

结合目前的中美时局来看，长江存储的在美起诉就是要向美国摆明态度：你们别以为列个实体清单就能堵住广大中国企业的技术发展路径，不管以后谈不谈得拢，我们手里都一样有技术筹码。总结起来就是四个大字：时代变了！

针对美光的侵权行为，长江存储要求法院判令美光停止侵权行为，赔偿其经济损失和声誉损失，并要求法院禁止美光继续生产和销售侵权产品。同时，长江存储也表示，希望通过此次诉讼，推动闪存市场的公平竞争和技术创新，为消费者带来更好的产品和服务。

资料显示，长江存储于2016年7月总部设在武汉，是一家集3d nand闪存设计制造一体化的idm集成电路企业，同时提供完善的内存解决方案。长江存储将于2018年批量生产32段3d nand闪存第一代，2019年批量生产64段256gb tlc 3d nand闪存，到2020年将超过96段，开发2种128段flash产品。长江存储此前还在推进扩大生产，但从2022年10月，美国商务部产业安全局发布了出口控制新规定，限制对中国的半导体制造设备等出口，并对已经批量生产长江存储nand闪存芯片的最新工程进行了分层。同年12月美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。因此在美国的压力下，在扩大生产方面受到制约。长江存储器公司此次以美国巨大的存储器半导体企业美光公司为对象，通过专利诉讼表示要维护自己的权利。

当然，不光是维护自身权益的重要行动，也是中国科技企业在国际竞争中不断崛起的一个缩影。随着中国科技实力的不断提升，越来越多的中国企业开始注重自主研发和创新，并在国际舞台上展现出强大的竞争力和创新能力，不断突破技术壁垒，引领行业发展。这次的结果对中国闪存芯片制造产业的发展产生重要影响，也将为中国科技企业的国际竞争力提升提供有力的支持和保障。

总体上来说，长江存储这次起诉也打破了美国人存储技术领先的神话，甚至美国公司落后了就来肆无忌惮的剽窃专利，也是令全世界大跌眼镜。猜测美光最后的结局，大概率是赔偿或者妥协，最终和解赔偿或者交换专利。