斯格明子作为一种独特的拓扑保护磁性准粒子，因其独特的拓扑特性和在下一代磁存储设备中的潜在应用，吸引了全球研究者的注意。最近，发表在《Nature》上的论文深入研究了斯格明晶格（SkL）在电流影响下的复杂行为，揭示了它们的动态转变和伽利略相对性这一有趣现象。
斯格明子是磁性材料中稳定的、涡旋状的自旋配置，由于其拓扑性质使其在面对缺陷和扰动时依然稳定。这使得它们成为数据存储和自旋电子学设备的理想候选。该研究聚焦于这些准粒子在施加电流下的行为，特别是斯格明晶格的行为。
研究的核心之一是揭示斯格明晶格在施加电流时的三阶段动态转变。研究者观察到，斯格明晶格经历了以下三个不同的动态阶段：
固定相（Pinned Phase）：在初始阶段，斯格明子被材料中的缺陷和固定点所固定。尽管施加了电流，斯格明子仍保持静止状态。
爬行相（Creep Phase）：随着电流的增加，斯格明子开始以“爬行”的方式移动。此阶段的特点是缓慢且间歇性的运动，斯格明子以随机方式克服固定点。
流动相（Flow Phase）：在更高的电流密度下，斯格明子进入流动相，此时它们以平滑且连续的方式移动。这个阶段表现出类似粘性流体流动的特性，并不再受到前两个阶段中的固定效应影响。
斯格明子动力学中的伽利略相对性为了揭示这些动态行为，研究者采用了先进的实时测量技术。通过监测拓扑霍尔效应电压，他们能够跟踪斯格明晶格的速度-电流关系。实时分析揭示了斯格明子在爬行阶段的类惯性行为，并提供了它们向流动相过渡的关键洞见。
研究中一个显著的发现是，在流动相中观察到的伽利略相对性现象。在经典力学中，伽利略相对性描述了所有惯性参考系中的运动规律是相同的。研究者发现，在流动相中，斯格明子的运动相对于电子流的运动，体现了这一原则。特别是斯格明子动力学的标志性特征——拓扑霍尔效应（THE），在这一阶段被完全抵消。这意味着，斯格明子的运动就像是在与电子流共同运动的参考系中，遵循伽利略相对性的原则。
研究的意义与未来展望这一研究的发现对材料科学和自旋电子学领域具有重要意义。了解斯格明子在电流驱动下的动态转变及其背后的物理机制，为控制和利用斯格明子在实际应用中开辟了新途径。流动相中拓扑霍尔效应的抵消现象，表明在斯格明子基础上的设备中可以最小化能量耗散，从而提升其效率和性能。
此外，该研究为进一步探索斯格明子的拓扑特性及其与外界刺激的相互作用奠定了基础。未来的研究可以着眼于调整材料属性，以优化斯格明子动力学，以及探索斯格明子在新型计算模式（如神经形态计算和量子信息处理）中的潜力。
