2月24日，韩国媒体《每日经济》发表文章称，韩国在存储芯片领域独占鳌头，而中国紧追不舍。韩国和中国的DRAM技术差距正在迅速缩小，中国的NAND闪存制造能力已达到与韩国几乎相同的水平。最重要的是，中国在高带宽存储器（HBM）技术方面几乎已经超越了韩国，而HBM技术是人工智能时代的重要组成部分。

近日，韩国汉阳大学白洙仁教授研究团队发布白皮书，利用学术研究数据库分析HBM研究最新动向，发现中国学术机构去年在HBM领域共发表了169篇论文。韩国论文只有67篇。中国发表的论文数量是HBM领先国家韩国的2.5倍以上。美国有114篇，德国有30篇，印度有29篇。在2000年代初，韩国是发表HBM论文最多的国家。

虽然韩国占据了世界HBM市场的90%，但在基础研究方面却被中国超越。白教授表示，“这意味着中国在核心半导体领域积累了比韩国更多的学术成果”，并补充说，“包括长鑫存储在内的中国芯片公司将通过大规模生产HBM2来提高HBM自给率。到明年自给率将提高到70%”。

事实上，在中国，长鑫存储、武汉新芯、通富微电子等公司已经完成了HBM2的开发。通富微电子向华为交付HBM2。白教授表示：“韩国和中国在内存技术方面的差距有可能从之前的10年左右缩小到几年以内。”

中国也在大力追赶DRAM。根据Yole Intelligence的数据，去年长鑫存储在DRAM市场的份额为5%。三星电子、SK海力士和美光的绝对主导体系正在慢慢破裂。Trendforce预测，今年第三季度中国产品在存储器市场上的占有率将达到10.1%。

长鑫存储已将内存从DDR开发到DDR5，旨在提高数据传输速度。由于韩国于2021年量产DDR5，韩国与中国之间的技术差距已缩短至三年左右。

韩国一位半导体业界相关人士表示，“由于美国政府大规模遏制来自中国的半导体，韩国获得了一些喘息的空间。然而中国半导体技术的发展速度如此之快，以至于我们几年来一直不能安心”。