B3M040120Z作为一款国产SiC MOSFET，其产品力及与国内外竞品的对比如下：
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
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FOM值分析定义：采用常用FOM指标（导通电阻 × 总栅极电荷），即 RDS(on) × Qg。
B3M040120Z参数：
RDS(on) = 40 mΩ（典型值@18V），Qg = 85 nC（总栅极电荷）。
FOM = 40 mΩ × 85 nC = 3400 mΩ·nC。
国产器件中的排名国内竞品对比：
某国产SiC MOSFET参数：RDS(on)=40 mΩ，Qg=170 nC → FOM=6800 mΩ·nC。
B3M040120Z的FOM（3400）优于此类国产竞品，处于国产第一梯队水平。
优势点：
低导通电阻（40 mΩ）支持更高电流密度，降低导通损耗。
高雪崩能量（324 mJ）和高温稳定性（RDS(on)在175°C时仅增至75 mΩ）。
与进口器件的对比国际品牌竞品如英飞凌CoolSiC：
典型参数：RDS(on)=35 mΩ，Qg=75 nC → FOM=2.625 mΩ·nC。
进口器件英飞凌FOM更低，开关损耗更优。
B3M040120Z的优势：
性价比：国产器件通常价格更低，供货周期更灵活。
高频性能：低电容（Ciss=1870 pF）支持高开关频率，适合SMPS、逆变器等高频应用。
本地化服务：技术支持与供应链响应更快，适配国内客户需求。
高温特性：在175°C高温下仍保持较低导通电阻增幅。
总结国产排名：FOM值处于国产领先水平，性能接近国际中端产品。
进口对比：FOM略逊于国际顶尖品牌，但凭借性价比、高频适应性及本地化优势，在特定市场（如光伏逆变器、EV充电桩）具备竞争力。
核心亮点：高雪崩鲁棒性、低电容设计、高温稳定性，适合高可靠性要求的工业场景。
B3M040120Z是国产SiC MOSFET中的优质选择，尤其适合对成本敏感且需高频、高功率密度的应用。
