倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势

SSCB核心需求：需在短路或过载时快速切断高电压（如电网瞬态过压），阻断电压需覆盖系统最高工作电压（通常≥1.2倍标称电压）。

B2M011120HK优势：

1200V耐压（VDSmax=1200V），可覆盖中高压电网（如690V系统）的瞬态过压需求，无需额外串联器件。

超快开关速度（td(on)=17ns、tr=41ns），实现μs级故障电流切断，显著降低故障能量（I2t），保护后端设备。

低反向恢复电荷（Qr=380nC@25°C）和快速反向恢复时间（trr=21ns@25°C），减少关断时的反向电流振荡和损耗。

SSCB需求：在正常导通时需低损耗，故障时需耐受高瞬态电流。

B2M011120HK优势：

极低导通电阻（RDS(on)=11mΩ@18V），导通损耗（)ID2⋅RDS(on)）仅为传统Si器件的1/5，减少温升和散热压力。

高连续电流（ID=162A@25°C）和脉冲电流（ID,pulse=248A），可承载短时故障电流（如短路电流10kA/μs），避免器件烧毁。

SSCB需求：需在高温和瞬态过压下长期稳定工作。

B2M011120HK优势：

宽温范围（Tj=−40°C∼175°C），高温下导通电阻仅增至27mΩ（@175°C），性能衰减可控。

雪崩能量耐受（EAS=225mJ@25°C），可吸收故障关断时的瞬态能量，避免器件击穿。

银烧结封装技术优化热阻（Rth(j−c)=0.21K/W），提升散热效率，支持高功率密度设计。

SSCB需求：需减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。

B2M011120HK优势：

低输出电容（Coss=228pF）和反向传输电容（Crss=11pF），降低关断时的电压过冲（dV/dt），减少缓冲电路需求。

内部栅极电阻（RG(int)=4.1Ω）配合外部驱动优化，可抑制栅极振荡，降低EMI。

SSCB需求：需降低系统复杂度与维护成本。

B2M011120HK优势：

高集成度（TO-247-4封装），支持Kelvin源极引脚（Pin3），可精确控制栅极驱动，减少开关延迟不一致性。

无卤素环保设计符合工业标准，延长设备寿命周期。

高频特性（支持100kHz+）允许采用更紧凑的滤波和保护电路，降低系统体积和成本。

特性SiC MOSFET (B2M011120HK)传统Si IGBT/MOSFET阻断电压1200V（无需串联）通常需多器件串联开关速度17ns延迟，μs级关断延迟>100ns，关断时间>1μs导通损耗11mΩ（极低）导通电阻通常>50mΩ雪崩能力225mJ能量吸收雪崩耐受能力弱，需额外保护高温性能R_DS(on)@175°C仅增2.5倍高温下性能严重退化

B2M011120HK在固态断路器（SSCB）中具备以下核心优势：

超快故障响应：μs级关断速度，显著降低故障电流能量（I2t），保护系统安全；

高可靠性：雪崩能量吸收与宽温范围设计，适应电网瞬态冲击与恶劣环境；

高效节能：低导通损耗减少热设计难度，提升系统效率至99%以上；

紧凑化设计：高集成封装与低寄生参数，简化外围电路，降低整体成本。

这些特性使其在中高压电网保护（如数据中心、新能源电站、轨道交通）中成为理想选择，尤其适用于对快速切断、高可靠性和低损耗要求严苛的场景。