中国缺了EUV光刻机不行？专家给出警示：摆脱对于ASML的依赖！

在美国的“芯片规则”的持续升级之下，中国半导体正面临着存亡与发展的关键时刻，从市场规模来看，随着人工智能、5G通信、新能源汽车等新兴产业的快速发展，全球半导体市场需求正在持续的增长。

而中国一直都是全球最大的半导体消费市场，2024年中国芯片制造商的产能同比增长约13%，达到每月860万片晶圆，中国大陆最大的半导体代工企业中芯国际也直接跃升为全球第三大芯片代工厂。

在芯片设计领域，2024年我国芯片设计企业已经达到3600余家，销售规模超过6460.4亿元，相比2023年增长11.9%，可惜美国等西方国家对中国半导体产业的限制和打压不断升级，使得中国半导体企业在获取先进技术、设备和原材料等方面面临诸多困难。

特别是EUV光刻机的禁止出货，严重制约了中国芯片制造工艺向更高水平迈进，即便ASML承诺会继续出货，但我们也等不起了，只有自主化一条路了。

新加坡APS创始人王国辉在接受彭博社采访时表示：中芯国际是中国芯片制造商内实力的关键支柱，该企业完全有机会利用当下的优势超越台积电的市值！他还指出，虽然中国目前无法获得ASML的EUV光刻机，但只要有一家中国公司成功开发出国产的EUV光刻机，那么当下的芯片战争就将彻底结束。

这一观点既揭示了当前中国半导体产业面临的困境，也很好的指明了未来发展指的方向，首先王国辉承认了没有EUV光刻机的话，中国半导体产业突破高端芯片制造必然会存在瓶颈，将面临着巨大的挑战，难以与国际先进水平相竞争。

此外他也强调了国产EUV光刻机的研发对于打破外部限制、实现中国半导体产业自主可控发展的关键作用，中芯国际将在整个过程中起到重要的作用，要发挥好该有的潜力实现国际地位。

国产光刻机的发展已然取得了重大突破，2024年12月31日，由上海微电子研发的封测光刻机在昆山交付成功，这标志着中国在光刻机领域正式突破了0-1的关键阶段，为后续光刻机技术的进一步发展和完善奠定了基础。

而就在近期，哈工大正式官宣了新的突破，自研的“放点等离子体极紫外光刻光源”技术，证实能够提供13.5nm精度的极紫外光源，满足市面上大量需求的同时，还拥有了造价低、效率高、技术难度小等等优势。

长春光机所早前也已经官宣突破EUV光源技术，不过所采用的技术方向是和ASML一致的“激光等离子”方案，然而需要认识到的是，EUV光刻机是全球最复杂的工业设备，需要使用到的零部件超过10万，涉及到微缩投影光学系统、EUV多层膜技术、光学加工与检测系统、双工件台等众多核心技术。

在核心技术上的自主化，可并不代表着EUV光刻机的自主化，供应链的整合需要依靠来二十多个国家和地区，对当前的全球化合作氛围而言，是一个极大的考验。

中芯国际作为中国半导体产业发展的核心，可以充分发挥其在成熟工艺上的产能和价格优势，进一步扩大成熟工艺市场的份额，中国庞大的国内市场需求以及国产替代的趋势，已经为中芯国际的成熟工艺市场布局提供了保障，同样在缺少EUV光刻机的情况下，中芯国际也并非放弃先进工艺的研发和突破。

虽然受到EUV光刻机的限制，但通过与国内科研机构和企业的合作，已然具备有了制造高端性能芯片的实力，中芯国际研发出了N+1、N+2工艺，利用DUV光刻机的确可以实现不亚于7nm性能的芯片，这也是华为麒麟9000S回归的秘密。

尽管美西方国家极度不友好，但中国半导体产业并非没有未来，在国家的大力支持下，企业、科研机构和高校等一起发力了，不断的为中国半导体输送优质人才，对于国产EUV光刻机，我们目前也仅剩下“供应链整合”这一步了。

我们已经找到适合自己的道路了，就算后续美西方国家放开出货限制，我们也要把重心放在技术自主化上，毕竟华为的经验教训足够深刻，对此你们是怎么看的？