在电子领域，有一个常常被忽视却又可能带来巨大危害的 “隐形杀手”——ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）。静电放电产生的瞬时高电压和大电流可能会直接损坏电子元件，使其失去功能。例如，静电可能会击穿集成电路中的晶体管，导致芯片损坏。静电还可能会干扰电子设备的信号传输，导致设备出现误码、死机等问题。

依托季丰电子集团在国内建立的较大规模ESD检测、认证实验室，北京ESD实验室配备了MK2、Orion3等多台先进机台，可为客户提供HBM、MM 、CDM、室温Latch-up、高温Latch-up等多种ESD模式检测认证。

MK2

Orion3

热流罩

ESD测试模式简介：

一

HBM（Human Body Mode），

即人体放电模型

HBM测试模型模拟了当人体携带静电并突然放电到设备上的情景。它通常涉及一个100pF的电容，通过电阻1.5kΩ迅速放电到设备的引脚上。

1）峰值电压：

通常在几百到数万伏特，但常见的测试水平为1kV至2kV

2）峰值电流：

HBM放电的峰值电流一般约0.66A/KV。

3）放电时间：

约为130ns至150ns是较为典型的放电时间。

MK2机台HBM测试能力：±30V~8000V，可以满足JEDEC , AEC-Q100 ,GJB548等多种行业相关测试标准。

二

MM (Machine Mode)，

即机器放电模型

机器模型代表了设备在自动化生产或处理过程中的静电放电。相比HBM，MM放电电流通常更大，因为其等效电路中没有限流电阻，且储能电容值较大，导致震荡放电且峰值电流较大。

MM放电的一些典型参数包括：

1）峰值电流：

机器模型放电的峰值电流(1.5~2.0A)/100V。

2）放电频率：

短路放电电流的共振频率11~16MHZ。

3）峰值电压：

机台MM测试能力：最高0~±2000V。

三

CDM(Charged Device Mode)，

即充放电模型

CDM专用于评估半导体器件在制造、处理或组装过程中因自身带电而发生的放电现象。与人体模型机器模型不同，CDM更关注器件内部的脆弱性，特别是在现代高集成度和小型化芯片中。

CDM放电的特点包括：

1）峰值电压：

最高可达2000V。

2）峰值电流：

CDM放电可以产生非常高的峰值电流，通常在几安培至十几安培的量级，有的情况下甚至更高。

3）放电时间：

CDM放电事件的持续时间非常短暂，通常在PS级别，这要求保护措施必须具有极高的响应速度。

Orion3机台CDM测试能力：±50~2000V，可以满足JEDEC , AEC-Q100 等多种行业相关测试标准。

来源：季丰电子

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