2025年的semicon国产设备最神秘的力量深圳Sicarrier公司正式浮出水面,发表了数十款半导体设备,其中部分还涉及5nm等先进制程,受到全市场的重点关注。

这里先有个常识性的认知得先说一下,设备商有某款设备不代表这款设备能用,能不能用必须经过客户也就是fab重重认证考核,很多厂家会宣布我有7nm的什么设备,但却没有经过客户认证过,也就是说设备商说的多少nm只是他自己说的,没有任何意义,通过客户demo才有意义。

Sicarrier公司并非第一次出现在大众眼里,这家2021年成立由深重投百分百持股的企业,2022年开始,就频繁出现在外媒报导中。

2022年底寒武纪,长江存储,以及做设备的中电28所,光刻机的上海微电子被纳入实体清单,这次的名单总共有36家,除了上述广为人知的中国半导体企业以外,还有ICRD上海集成电路研发中心以及PXW深圳鹏芯微这两家名不见经传的企业,为啥要制裁这两家听都没听过的fab,原因为被怀疑是某厂马甲。

2023年壁仞,摩尔线程,浪潮等AI芯片以及服务器企业相继被纳入实体清单。

2024年12月美国BIS继续针对中国半导体制造进行围堵,几乎所有中国半导体设备公司都进入清单中,北方华创,拓荆,盛美,华海清科,芯源微,这些在每个工艺环节沉浸已久,形成龙头地位的国产设备商几乎团灭,包含这次SEMICON大放异彩的Sicarrier,以及深圳两家fab,升微旭以及鹏芯旭。

从上述美国BIS的制裁过程，我们可以了解BIS是如何一步一步的限制中国半导体制造，最终达到对中国AI的打击目的。

至2024年底，深重投在半导体行业的布局大部分进入大家视野,包含2022年被check的鹏芯微, 2024年被check的Sicarrier, 升微旭, 鹏芯旭，目前只剩下一家未浮出水面，也是大家最想知道那个关键设备的企业，这部分明确是不隶属于Sicarrier。

这四家已被美国商务部BIS纳入实体清单的企业,全部由深重投100%投资,说明了深圳对半导体的布局的深度与广度都是前所未有的,鹏芯微负责先进制程,鹏芯旭偏成熟,升微旭主导存储芯片,最后由Sicarrier承担零部件以及制程设备的攻关。

虽然这四家企业被外媒已经报导多年,也被美国BIS纳入实体清单,成为公开的秘密,但由于内网讯息较为闭塞,全世界都知道的这四家公司，唯独国内还是不为普通大众所了解。

事实上这几家深圳企业,在业内已经投入多年,从业者自然熟悉, 而且经过外媒多年的报导,不是业内的行业爱好者,对这四家深圳企业也如数家珍,网上充次大量相关企业的内幕，比如深圳三子等等传闻。

第一次认识Sicarrier的普通网友,经历这次SEMICON铺天盖地的宣传,有种绝世高手闭关多年,横空出世,拳打华创脚踢中微的错觉,让不知所以的网民感觉北方华创与中微等友商20多年的付出,还不如一个先天神骨成立仅3年多的新公司。

这次选择在SEMICON参展并大张旗鼓宣传正是因为几个月前,2024年底的实体清单,想瞒也瞒不住,都被制裁了,索性就正式浮出水面,真正向大众宣告中国半导体努力不懈的成果。

当然目前中国半导体的成果并没有Sicarrier这位后来者的贡献,未来自然会有,但还没发生,这部分咱们还是得实事求是。

宣传是遥遥领先的强项之一,当然他们也同时具备顶尖的技术实力,两者相辅相成,成为中国科技的代名词,他们的产品力,技术能力是无庸置喙的第一梯队。

但不可否认宣传也是他们的一大利器,笔者这里所谓宣传是非常中性且客观的形容,毕竟一个公司宣传来就是一个重要部门以及策略手段,希望那些立场浓厚的朋友们,不要太敏感,客观就事论事。

一家未上市(不需要宣传)且乘载中国半导体发展大计的核心企业,原本就是默默付出不为人所知最好,但无奈已被发现甚至制裁,索性浮出水面大肆宣传,其实在逻辑上这说法并不通顺,因为不管是否被制裁,他还是可以继续低调运行,越低调自然阻力越少,不管任何时候。

所以浮出水面的意义,必然是许多其他考量。

首先最重要的是在国家的立场上代表我们不惧你美国的制裁,展现出我们的韧性以及突破封锁的决心,这是非常重要的宣传战,另一个要点自然是企业自己,通过大量宣传,给企业拉抬声势,获得更多资源,这个所谓资源,除了产业上,商业资金上,还有政治层面上,这两大原因正是这次我们看到Sicarrier宛如中国半导体救世主的降临在Semicon China 2025。

这些宣传筆者認為是必然,但是Sicarrier作为一家半导体设备企业,并不需要在Semicon展会上去展示自己的最新技术,因为半导体展不是消费电子展,这个展览是to B完全不针对to C的普通消费者。

诡异的是，正常来说几乎没有fab客户会在Semicon上与大型设备进行商务洽谈,因为大型设备商跟fab的合作老早就开始了,各种认证与demo在fab以来来回回进行多轮,对大型设备商而言，展会上大肆宣传，并没有啥商业意义，因为没有一家fab不知道你跟你的产品。

依照笔者十多年的参展经验,只有客制化设备商,零部件供应商,材料供应商这些领域的新出头小型公司在会展上透过宣传自己有获得订单的商务可能,因为这些小公司不为人所知,很多客制化的东西通过展示才能被客户发现。

大型设备或者知名公司在Semicon只是维持存在感以及客户聚会的感情联系,几乎没有在展会谈订单的可能,所以我们会看到今年全球最大设备商applied没有参展,而全球最大的量测检测企业KLA也只弄了个18m2的小booth,光刻机巨头ASML跟自己的子公司挤在一起共同分摊一个booth,展位毫无设计感,随意的摆了张桌子,工作人员稀稀落落,一看以为是哪来的小公司。

正如笔者所说,这些国际巨头根本不需要透过展会去获取订单,其实不止ASML或者applied,国内各设备领域的龙头企业,比如被北方华创,中微,拓荆,盛美也根本不会想在展会上获取订单,即便国内设备商们booth一个比一个大，争奇斗艳，深怕booth搞小了别人以为你走企业下坡了，但国内设备商们一样清楚，没人会在展会上谈订单。

因为会展根本不是谈订单的地方, 是否有订单早是经历过客户也就是fab的层层考验之后,fab的技术与采购团队与设备商重重谈判的结果。

也就是说,设备商的设备是否能能用,是否能上线,是否有突破都不会更不需要像Sicarrier在展会上宣布,这些在行业内或客户心中早都是知道的事,在展会上大肆宣传自然别有用意。

所以大规模的宣传自然不是对其客户宣传,笔者文前说的,一个给美国看,代表中国半导体行业的不屈与韧性的宣告,另一个是给百姓与高层看,通过社会舆论宣传给自己争取更多的资源，就是这两点，没有其他。

如此一来,友商们就很受伤了,毕竟截至目前为止,中国半导体设备的所有进步全部来自北方华创，中微，盛美，华海清科，拓荆，芯源微等友商。

Sicarrier是一颗新星,但很可惜到目前为止,行业里每一个工艺环节的突破没有Sicarrier的任何功劳,我们期待的是Sicarrier的未来,所以不应该抹煞原本的贡献者，更不该瞎宣传把功劳归功于一家之前还在挖角友商的后进者，这种是非不分的，断章取义，颠倒黑白并不可取，很多蹭流量的自媒体应该自重。

目前Sicarrier发布了多款设备,各种山涉及多个工艺环节,诸如CVD,PVD,炉管,EPI还有Etch的ICP以及CCP,Sicarrier的设备水平到底为何?

以下是Sicarrier发表的产品

武夷山系列为Etch设备

武夷山1号为CCP设备，这部分国内的龙头企业中微AMEC已经浸淫20年,要知道CCP并非一款设备,是十多种不同工艺属性及要求的一个设备种类,其中AMEC在顶层通孔,接触孔,超深接触孔,氧化硅以及一般通孔及硬膜等环节已经做到7nm甚至5nm水平,这些CCP比较容易做的刻蚀设备甚至已出货给台积电。

但是CCP这刻工艺中,还有许多环节是比较难的,诸如钝化层、超深沟道孔、沟道孔硬膜、多阶梯深接触孔、氧化硅侧墙以及多种介质等离子刻蚀设备,目前AMEC大约在28nm水平,甚至还有几个工艺环节连28nm都还没有突破。

也就是单单CCP这个刻蚀的两大工艺之一,他的20多个细分环节中,我们在7nm只有简单的环节有设备出货,许多较难的环节我们还卡在28nm,言下之意就是CCP工艺,我们还未完全突破28nm這一個節點。

当然相关设备都在如火如荼的进行中,未来每一年每个季度,都会有demo成功的好消息传出,28nm攻关完成再往14nm,10nm,7nm不断攻关,大家要明白全部的环节都可以做才叫这个节点攻关完成,只有一两款可以做7nm不叫我们国产CCP设备已经能做到7nm。这是利用普通网友不懂，自行给定语的断章取义。

因为定义问题,不懂的网友们经常会被满口专业术语的上市公司忽悠。不过上述笔者用多少nm来说这些设备也不是非常准确，主要是给网友们一个比较直观的了解。

无论如何,CCP确实是目前国产设备在核心制程中做得最好的,这主要归功于AMEC超过20年的努力。

Sicarrier在CCP这领域不容易有建树,那直接攻关AMEC不足的环节可以吗?我想这更难,简单的设备都还没做明白,没有任何积累的情况下直接跳过去做困难的设备,世界上实在没有这样的道理存在,不符合科学跟常识。

有个基本逻辑可以贯穿整篇文章,那就是“积累”, 海外半导体设备到现在是超过40年以上积累而来,国内先进者也有20年的积累,虽然说后来者有后发优势,但有无数的know how必须亲身去踩坑,必须真正上产线才能发现出问题。

即便进口品牌那些20多年前的成熟产品,他们还是在全球大大小小的fab中运行,不断发现新的问题并不断改善中,而目前咱们谈的是还没有真正上产线的设备,连踩坑的机会都没有,所以笔者会强调“积累”的重要性,这是半导体设备无庸置疑的第一核心要素。

那组建一个梦幻团队是否可以加快攻关进度呢?加快速度肯定没问题,但也不会如想像中容易。

例如2004年尹志尧创办AMEC之前,在美国英特尔、lam、applied的履历已经足够梦幻,他是当时applied等离子刻蚀的首席技术官,创办AMEC带回来的团队有lam以及applied华人高管,台湾applied高级经理朱新萍,杜志游,lam的倪图强,程宇,还有从英特尔就一直跟尹总的麦仕义,这个团队众星云集,几乎是华人在美国半导体设备的菁英荟萃。

AMEC的创始团队放到现在也绝无仅有的星光熠熠,全部是世界第一线且第一流的半导体设备人才,但很可惜AMEC从2004年创立以来有10多年是亏钱的,没有客户愿意购买设备,以补贴度日,直到2016年以MOCVD才打开局面,2020年洽逢中美科技战,国产设备被大幅度采用。

有了国产替代的天赐良机,国产设备们突飞猛进,迎来历史上最快的发展期,但即便如此,中微公司沉淀最久的CCP设备也无法完全在28nm的每一个环节突破,所谓7nm刻蚀也仅仅是个别较容易的环节。

笔者为何会跑题说一堆非设备的话题,最主要就是要让不明所以的网友们,有个直观的认知,做半导体设备一定需要“时间积累”,再梦幻的团队也必须重新踩坑,一步一步在产线上优化自己的设备并数十年如一日,这样的行业常识与认知希望对半导体有兴趣的同学们一定要建立起来,没有这些基本认知,你只能一直被那些无穷无尽看都看不懂的专业术语给忽悠。

以团队的成就来说,AMEC的创始团队代表当时全世界最顶尖的华人梦之队,反观Sicarrier网罗的团队,几乎都是从AMEC挖角或者网罗海外有相关科研成果的研究者,团队没有lam或applied处于一线的顶尖专家,再加上积累时间有限,所以Sicarrier武夷山1号也就是CCP领域的表现可想而知。

不过所有科技行业都一样,后发者必然是有优势的。

比如EUV光刻机在2000年之前就研究自由电子,同步辐射,LPP以及DPP等可行的技术路线,最终经过全世界无数科研单位,无数技术联盟,无数的资金投入,最终投入最多资金的LPP在各方角逐中胜出,被证明是最可靠可行的路线,这给我们后来后来者指明了方向,可以少走弯路,大量的研究论文也让后来者明白各种路线的优点与缺点,可以依照自身需求针对性的研发,这是作为技术后来者,我们中国后发的优势所在。

如果再加上国家或者庞大资金支持,比如可以开出高几倍的薪资,直接挖角有经验的友商人员,他们的经验就是踩过各种坑,可以帮助企业最快的追近先发者。

又比如可以无视IP,各种抄袭,尤其是抄国外设备,不避讳地说这是国内半导体设备商这几年突飞猛进的原因之一,你美国限制我们中国7nm以上的先进设备,那就别怪我们抄袭,fab里面有各式各样的进口设备几乎是敞开来抄,连尺寸都可以仔细的丈量,要打官司咱们也不怕,反正我设备不出口,只要在国内打官司你也胜诉不了。

以上笔者说的是国内设备发展的客观事实,而且是被美国限制后的必要手段,咱们也不需要对抄袭有啥抱歉,美国不仁怪不了我们不义，咱们的科技竞争与发展其实大部分还是靠这些手段，尊重事实，不必要去圣母。

北方华创与中微的目标是美国设备商自然无可厚非,但如果友商挖角与抄袭的对象是北方华创或者中微等国内有先发优势的设备商,那就差点意思了,这确实后来者被整个行业所诟病的一个大问题,最有名的是中微尹董事长在2023年的无锡设备年会中,数页PPT矛头指针对一家国内友商恶意挖角以及抄袭的种种行为,有兴趣的可以自己去找找,网上还有许多当时的PPT,这里就不多说了。

继续回到设备上。

武夷山2号是超高深宽比介质刻蚀,这部分也是AMEC的强项,目前已经做到60:1并真实交付,虽然稳定性必然是差很多,但好歹是可以上线的设备,稳定性随着真正上线以后也能不断提高,距离lam最好的100:1还有两三代左右的差距。

国内最大半导体设备公司北方华创在去年也宣布其高深款比刻蚀产品,据笔者实际了解大约在30:1左右,且只有demo交付,没有产线in line的实绩。

由于超高深宽比的介质刻蚀设备主要是应用在3D-NAND,国内只有YMTC长存一家有需求,而与YMTC合作开发开设备的是AMEC,双方已合作开发多年且60:1产品也已经交付,由于客户单一,Sicarrier的武夷山2号,未来发挥空间也有限。

武夷山3号为ICP设备,这部分国内以北方华创为领导者,中微这两年也在ICP设备上发力。全球范围中,lam的ICP是绝对王者,TEL跟applied也难望其项背。

目前国内的ICP主要在多晶硅等离子、多晶硅硬膜、硅槽、阶梯等工艺环节有所建树,部分可达到7nm要求。

而硅栅、栅线槽侧墙、超深栅线槽、深沟槽隔离、金属沟槽、铝、接触孔硬掩膜开窗等目前还在28nm左右的水平,当然各厂家也正紧锣密鼓地往更高的节点去攻关,demo设备一直在往fab去认证。

笔者认为这应该是全网唯一可以从fab角度把Etch制程说的最明白的文章,而不是从设备商角度，各种设备含糊其词都做得很不错,全部制程国产设备都涵盖了,已经做到7nm甚至5nm了，而不去说同一大类的细分环节中我们还有不少连28nm都做不到。

由于人员被挖角,国内ICP的领先者北方华创有点青黄不接,AMEC凭借其更高的原创水平,也试图争夺ICP更多的话语权,而后来者Sicarrier利用挖角以及资金优势,这几年也依样画葫芦先从容易做的环节下手,最后在友商都做得不错的情况下利用资金优势在低端卷友商。

先进者不论北方华创以及中微都已经在更高门槛的环节与SMIC、

CXMT、YMTC等fab开始合作,进度上自然是快于新进者,尤其是北方华创在被人员被挖角的情况下,利用与SMIC的长期合作关系,加快合作开发先进制程设备,中微则在存储的客户中发力。

其实对于后来者这种没有意义的重复造轮子,行业内一直都是不太理解的,为什么会如此,笔者文章后面再聊,这牵扯的因素太多,很多也并非Sicarrier的初衷，变成现在这样的霸道怪兽可能也是他们一开始始料未及的，只能说各有各的立场，兄弟爬山各自努力了。

武夷山5号,高选择比刻蚀设备,与NAND需要超高深宽比刻蚀一样,高选择比刻蚀也是DRAM推进更先进工艺的重要设备,尤其是在美国限制了Si:SiGe的高选择比刻蚀设备,这着实的限制了中国DRAM往3D以及未来4F2结构的发展。

武夷山5号高选择比刻蚀对国内DRAM是至关重要的,这部分AMEC已经与国内最大DRAM企业展开合作,也是进度最好的,Sicarrier则利用自家的福建晋华与升微旭两家存储fab合作开发,但是目前并没有较高选择比的设备demo成功。

这部分Sicarrier与AMEC同室操戈,共同竞争,笔者认为没有问题,毕竟先发者并没有形成优势的情况下,后进者的压力push,对产业的发展是有利的,但前提是别恶性挖角或抄袭,同样一帮人挖来挖去,都是那帮人,对行业没有帮助,只有内耗。

如果能两个竞争者能形成良性竞争,笔者乐见其成,但从以往经验来看,似乎不太可能。

总之,这类原本国产设备商还没有形成优势的工艺,不存在重复造轮子,能有两个甚至多个竞争者进行良性竞争是一件好事,先发者别只会抱怨,有能力者上是不变的真理, 后来者也别仗着资源多重复造轮子, 应该提高自身格局,去做互补, 别内卷别内耗, 这才是对我们中国半导体发展有帮助的。

峨眉山EPI系列设备

EPI属于门槛相对高的设备,一直以来被applied垄断,TEL也有一部分,但由于设备单价以及数量较高, 是国产设备商们的重点攻关设备,applied的EPI设备多年前已在fab中被全方位的逆向开发。

目前国内EPI龙头自当属于北方华创,出货数量居国产之首,种类相对齐全。

中微则专攻硅锗,还没有有效出货,进度与Sicarrier估计差不多,作为后来者Sicarrier布局相对较广,峨眉山1/2/3号分别是针对硅锗,鏻硅以及叠/埋层的纯硅, 纯锗。

EPI设备由于北方华创布局已久,出货量第一,与国内先进逻辑fab也高度合作去开发新设备以及提高既有设备在产线上的性能以及运行稳定度,Sicarrier的武夷山系列主要人员也是来自北方华创,从进度上笔者认为可能没有太大空间,也只能在低端成熟产品去内卷友商或者先在自家fab先认证用起来。

三清山系列RTP快速退火炉

炉管设备有多种,氧化/扩散炉,退火炉以及RTP快速退火,RTP主要用于掺杂之后的退火,更高的温控精度在先进制程比传统炉管有优势，缺点是只能做单片。

目前国内炉管以北方华创跟屹唐为两大主力,北方华创在传统立式以及RTP均有布局,整体出货量也是国内第一。

屹唐没有上市，不为大家所知,但其收购的老牌半导体设备公司mattson就是全球RTP的主要厂商之一,去胶设备更是全球前三国内第一, 北方华创与屹唐都是炉管的主力玩家,这块Sicarrier似乎不容易讨到便宜。

普陀山系列PVD设备

PVD的全球领先厂商为applied属于一骑绝尘的態勢, 而国内龙头毫无疑问是北方华创,不论制程节点或实际出货都是遥遥领先国内友商。

其他厂家，中微有一小部分没啥存在感,在一级市场中有陛通,这家未上市企业属于国内PVD第二,其他诸如沈阳科仪在面板领域有一些成绩,面板行业能取代applied的设备那也是非常牛的,不过目前差距还不小。

这块Sicarrier很难追上领先厂家北方华创,同样都是挖角他们家的人,基本上都是同一帮人在那挖来挖去,浪费时间。

陛通则因为是初创公司,进度也不错,创始核心团队都有IPO的美梦,所以人员没有啥流失,不过未来IPO如果受阻, 钱烧光后销量还不足以支持研发投入,去跟北方华创与Sicarrier竞争, 其实挺危险的, 陛通最后被并购或许是大概率。

阿里山系列ALD设备

阿里山1/2/3号分别是PEALD/TALD/MALD三种不同工艺要求的原子层沉积设备。

目前PEALD的国内领先厂家属于拓荆,不过技术实力还有没形成很大的优势,北方华创在PEALD的投入也给了拓荆不少压力。

超高深宽比填充这一块拓荆作为YMTC的主力合作单位,一直是delay的状态,不过由于设备门槛较高,进度确实不好推进,这部分设备现在完全由lam垄断,lam在低氟钨工艺减少翘曲的技术能力遥遥领先,搭配他的超高深宽比刻蚀在NAND领域有绝对的统治力。

TALD部分,目前北方华创做得不错,已经有设备通过SMIC的demo。微导则在MALD以及光伏跟化合物半导体有所建树,但半导体级别则几乎没有实际出货,盛美则在先进封装用ALD设备有所着墨,未上市的青岛思锐在ALD设备上也有一定的实力,不过主要方向也是往化合物半导体去。

Sicarrier的ALD布局相当全面,ALD也是未来半导体先进制程的重点方向,有越来越重要趋势,该领域目前全球市场不到十亿美元,整个中国市场也大概是十亿人民币级别,但由于他是未来逻辑GAA,3d DRAM,NAND的重点设备,Sicarrier在这部分的投入是正确的，最主要是跟有积累的先发者没有很巨大的代差。

其实Sicarrier还有一个更前沿的ALE团队,由于设备还在研发阶段,这次SEMICON没有出现, ALE应该能算Sicarrier未来的一个王牌项目，当然前提是要能做好。

至于大家关注的litho则压根不是Sicarrier负责，而是深重投的另一家企业，一些啥都不懂的自媒体利用这次Sicarrier瞎起哄博流量，既然这家企业没有浮出水面咱们就不说了，保护好这些攻关企业为重。

我想不论ALD或者ALE未来将都会是Sicarrier的强项,这个结果跟笔者文前提到将贯穿整篇文章的逻辑,那就是“积累”,这个设备发展的最关键核心以及第一要素。

原子层技术主要是应用在7nm以上的先进制程,主要应对更复杂的结构,属于半导体制程相对前沿的设备,这部分海外设备大厂诸如ASMI,TEL,applied,lam的积累也并非无坚不摧,国内友商则更是发展初期,所以在ALD以及ALE笔者相对看好Sicarrier。

不过目前很重要的高深宽比填充的PEALD还是希望正与YMTC合作的拓荆能加快脚步,因为这款设备关系着YMYC的扩产,NAND是所有fab中要求最低的,所以必然是国产最先全环节攻关的fab,先进逻辑的SMIC以及存储的DRAM要求都高出NAND不少。

所以长存YMTC能否依靠国产自主设备攻关进而大量扩产,核心关键就在中微的超高深宽比刻蚀以及拓荆的PEALD,这两个如果能接近lam的100:1那中国半导体将迎来数十万片級別的扩产,相关设备的研发攻关至关重要。

Sicarrier在这部分积累并没有拓荆来的多,所以也没必要重复搞,Sicarrier PEALD应该以7nm以上的逻辑先进制程为主,研发搭配多重曝光所需的ALD设备,因为多重曝光是我们没有更好光刻机的基础上去推进先进制程的最重要手段，这里要求的不在只是光刻机，刻蚀跟薄膜沉积同样重要。

所以不要内卷不要重复造轮子, 别有无尽资源就啥都非得插一手，导致友商资源变少受到排挤, 各司其职并适当竞争, 才是中国半导体发展的最完美状态。

可能霸道者根本听不进笔者的话，人微言轻，但笔者还是得不断去说，就是想让更多人能明白，不要神化更不要吹嘘，给中国半导体一个更好更健康的产业生态。

以上是Sicarrier的各大名山系列的详细解释, 剩下量测检测还没说,这部分也将会是Sicarrier无庸置疑的强项, 对目前市场的影响只大不小。