MOS管在开关状态工作时Q1、Q2是轮流导通，MOS管栅极是在反复充电、放电的状态，如果在此时关闭电源，MOS管的栅极就有两种状态，可能会引发电荷积累问题。

一个状态是放电状态，栅极等效电容没有电荷存储，一个状态是充电状态，栅极等效电容正好处于电荷充满状态，图1所示。

由于Q1和Q2在电源关闭后均处于断开状态，栅极电荷无法通过电路释放，导致栅极电场仍然存在。当电源再次开启时，激励信号尚未建立，而MOS管的漏极电源（VDS）会随机提供电压。如果栅极电场仍然存在，导电沟道会即刻形成，导致MOS管产生不受控的巨大漏极电流（ID），可能烧坏MOS管。

那么怎么避免MOS管损坏呢？

我们可以在MOS管的栅极对源极并接一只泄放电阻R1，如图2所示，关机后栅极存储的电荷通过R1迅速释放，此电阻的阻值不可太大（一般在5KΩ～数10KΩ左右），以保证电荷的迅速释放。

除了解决栅极电荷积累问题外，MOS管在开关应用中还可能因容性输入特性导致开关动作滞后。那么就可以引入灌流电路，通过优化栅极电荷的充放电过程，减少MOS管开关动作的延迟。

还要注意，灌流电路主要用于MOS管作为开关管的场景。当MOS管用于其他用途（如线性放大）时，由于其工作特性不同，通常无需设置灌流电路。