以一个 NMOS 开关电路为例，其中阶跃信号 VG1 设置了 DC 电平 2V，且为振幅 2V、频率 50Hz 的方波，而 T2 的开启电压同样为 2V，这使得 MOS 管 T2 会以 20ms 的周期进行开启和截止状态的切换。

在这一过程中，一个有趣的现象出现了：当 Vgs = 2V 时，会存在一个小平台。那么，为何 Vgs 在上升时会有这样一个小平台呢？

答案在于米勒效应。MOS 管内部存在多种寄生电容，

其中：Cgs称为GS寄生电容，Cgd称为GD寄生电容，输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容.

在电路工作时，米勒电容（Cgd）在反相放大的作用下，会使等效输入电容值显著增大。当输入电压要改变 Vgs 时，需要对这个增大的等效输入电容进行充电。在充电过程中，即便输入电压持续上升，由于大部分能量都用于对电容充电，这就导致 Vgs 的上升速度变缓，从而形成了我们所看到的 Vgs 小平台。

进一步探究发现，将电阻 R1 由 5K 改为 1K 后再次仿真，小平台明显变小甚至几乎消失。这是因为 MOS 管开启是输入电压经 R1 对 Cgs 的充电过程。R1 阻值减小，充电时间常数变小，对 Cgs 充电加快，MOS 管能更快度过米勒平台阶段，迅速进入完全导通状态。所以，减小 R1 可改善米勒平台，使其变小甚至消失。