EUV光刻机作为先进制程芯片量产的主要设备，其重要性不言而喻，但因为《瓦森纳协定》的缘故，我国无法从ASML进口EUV光刻机，导致国产芯片一直无法踏足先进制程。

好在自从美方开始处处限制中国科技发展之后，中方就展开了全面自主研发，在EUV高科技设备的研发上持续突破，如今中科院传来重磅消息，国产EUV光刻机即将面世！

众所周知，目前全球只有ASML一家企业拥有EUV光刻机的量产能力，并且产能无法大规模提升，即便作为半导体设备“一哥”的ASML，也只是计划至2025年达到年产90台。

不过准确来说，ASML其实也只是EUV光刻机的“组装厂”，实际研发成果还是来自EUV LCC联盟，ASML仅仅占据了不到15%的核心技术。

反观美方占据了该设备超过30%的技术，作为目前全球最先进的半导体设备，EUV光刻机拥有超过10万个零件，这些零件的研发和供应分别来自全球超过5000个供应商。

不仅如此，EUV光刻机的使用要求也没有想象中的那么简单，零件中包括了4000个必要的高精密轴承，还需要对接3000多条线缆，并建造一个长达2公里的管道。

因此，这款目前世界半导体领域的顶尖设备售价昂贵，每一台几乎都需要接近2亿美元的水平，较比平均一台只需要2000万美元的DUV光刻机天差地别。

可惜的地方在于中国并不在EUV LCC联盟之中，也丝毫不占据EUV的任何一条核心技术，而这正是因为拜登政府限制中方科技发展的一个手段。

当然，他们不希望我们涉及，那我们又凭什么要听他们的呢？不让中方加入EUV LCC联盟，那就自立门户，以一己之力打造属于中国的半导体产业链，尤其是针对EUV光刻机设备。

在20世纪末开始，国内陆续出现大量研究半导体领域的企业，尤其在近几年时间里，每年都有数以万计的中企踏足半导体领域，为国家发展尽一份力。

比如说上海微电子，作为一家半导体设备供应商，产品研发如今已经突破到了28nm制程，相信很快可能就要开始涉及更加先进的光刻机设备。

而针对EUV光刻机领域，作为国防七子的哈工大、西工大，还有清华、北大、中科院等知名院校机构致力于研发，这些年来陆续突破EUV LCC联盟一直引以为傲的核心技术。

尤其是EUV光刻机的三大核心技术：光源、透镜、双工作台，首先是光源，哈工大在近两年的持续突破下，拥有着“电能转化等离子体线路”的最新成果。

这项研发成就可以实现先进工艺水平的DPP-EUV光源，搭配此前的“真空超高精度激光干涉仪技术”，目前中国在EUV光刻机的核心光源需求上，已经达到了标准水平。

其次在透镜组件上，早在2015年，长春光机就已经拥有了达到EUV光刻机水平的“高精度弧形反射镜系统”，误差小于0.1nm。

不久前中科院也是再次传来了重磅消息，得益于北京中科科美公司的帮助，中国拥有了自主研发的“直线式劳埃透镜镀膜装置”和“纳米聚焦镜镀膜装置”。

这项突破的结果，致使该我国在EUV光刻机的零件国产化上拥有更好的部署，永远不需要担心国产EUV光刻机有一天会受断供影响。

此外，双工作台也得到了突破，基于哈工大突破的超高精度激光干涉仪，配合打造出了同样高精度的EUV真空双工件台，能够实现位移分辨力5pm，位移测量标准差达到30pm。

值得一提的是2022年哈工大还凭此获得了“中国光学领域最高荣誉金隧奖”，位列榜首印证了哈工大作为国防七子的实力。

三大核心技术陆续达到国际EUV光刻机的标准，这也就意味着中国EUV光刻机的研发达到了一个新的阶段，相信未来国产EUV光刻机即将面世，打破美方的技术垄断，太解气了！

可能会有人认为是在“自嗨”，但事实上我国近些年在科技上的研发持续突破，大家都是有目共睹的。

比如说老美借助16个国家的能力，打造了国际空间站，而我国仅凭一己之力，建造了全国产化的“天宫空间站”，这差距就已经很明显了。

虽说目前针对半导体、高精度设备、医疗仪器等部分领域，还受到着美方的“卡脖子”限制，但相信不久的将来，我国肯定能够突破老美的封锁！那么大家对此怎么看？欢迎评论区留言！