自从中国科技走上世界的“舞台”之后，美资本主义就开始忌惮，为了防止国际主导地位被中方抢走，多次对中国科技进行限制，尤其是半导体领域。

如今哈工大公布新消息，国产EUV光刻机设备研发已经进入新阶段，外媒对此报道称：拜登的计划“泡汤”了，制裁措施“落空”！

要知道，早在2018年时，美方害怕我国半导体芯片走上自给自足的战略部署，就已经开始了针对性的限制措施。

第一个限制的就是当时市面上最先进的芯片制造设备——EUV光刻机，作为EUV LCC联盟的研发产物，老美占据了高达30%的核心技术，所以直接对大陆进行断供。

正因如此，国内半导体设备企业至今无法大规模量产先进制程工艺芯片，即便是加持了中芯国际的“多重曝光技术”，如今也只能实现7nm制程芯片的生产，并且造价昂贵。

可美资本主义的“野心”可不止这一点，近些年来不仅对中国半导体进行断供的设备继续加码，还针对华为、长江存储、中兴通讯、浪潮等多个中企进行制裁。

很明显，建立在我国高铁、盾构机、手撕钢乃至“天宫空间站”等高科技产物现世，美方为了自身的遏华计划简直堪称“不择手段”。

直到2023年年初，美利坚甚至拉拢日本与荷兰建立“美日荷联盟”，通过“秘密协议”对中方进行针对光刻机领域的制裁，促使我国针对成熟工艺芯片的量产能力也受到损害。

不过拜登乃至西方国家都没有想到的，我国半导体领域的发展如此迅速，除了针对成熟工艺芯片的90nm、65nm、45nm和28nm制程国产光刻机逐渐自研成功。

就连EUV光刻机的全球垄断地位都岌岌可危，不久前哈工大公布的新消息，再一次打破了美方的自信心。

令原先称霸先进制程光刻机供应渠道的ASML，其总裁都忧心忡忡，声称：中国自研光刻机设备是在破坏国际半导体市场。

要知道曾经的温宁克说过就算把EUV光刻机的图纸给中方，也无法打造出能够制造先进制程芯片的光刻机设备。

如今看起来，ASML总裁当时的话语不过只是嘴硬罢了，如今看到中方的突破也是终于开始担心了。

而哈工大公布的突破技术正是EUV光刻机中主要的核心技术之一——电能转化等离子体线路，在这项技术的加持下，EUV光刻机所需要的DPP-EUV光源能够达到标准水平。

得益于哈工大在2022年公布的“超精密高速激光干涉仪”，EUV光刻机三大核心技术之一的双工作台也终于诞生，只剩物镜这一个核心技术要求。

不过在2021年，长春光机已经掌握了“光学投影物镜”的大部分技术，而在不久前再一次突破，获得了符合EUV光刻机标准的反射镜，误差小于0.1nm，达到了EUV的标准。

配合上早在2015年研发的反射镜系统，已经将打造高阶先进制程芯片半导体设备的三大核心技术全部预备齐全，意味着离国产EUV光刻机的到来已经不远了。

而这同时也代表着中国EUV光刻机的研发进入了一个新的阶段，显然拜登心心念念的遏华计划已经“泡汤”了。

不得不说，哈工大虽说论名声比不上国内知名的清华北大，但作为国防七子之一，论贡献和成就绝对是国内高校界的佼佼者！

因此，希望目前还处于高中准备报考阶段的小伙伴们，完全可以考虑哈工大，好好学习，争取未来为我国做出巨大贡献！那么大家对此怎么看？欢迎评论区留言！