工信部官宣DUV光刻机，其套刻精度可以达到小于等于八纳米的程度。话说这幸福来的也太快了一点。美国就开始对中国的芯片领域进行围追堵截。

前不久还想拉拢日本和荷兰，对中国实施更加严格的管控，中国的光刻机就出世了。

这时间卡的也太实在了，都不给留点余地。

当然了，小于等于八纳米的程度，相对于阿斯麦三纳米的程度，还是有一定的差距。

但别忘了，阿斯麦研究了多少年？

想当年阿斯麦的负责人可是傲的很，开口就说就算是把全部的图纸放在中国人的面前，中国人也不可能将光刻机造出来。

如今这话算是漏了风。

光刻机全套图纸？不稀罕，中国人自己能画。

其实对于中国能造出光刻机的事情，外国人不信，就连中国的一些专家都不信。

比如项立刚怒怼国内某知名教授，现在看来是相当有依据的。

怎么回事呢？

起因是在2021年的时候，一个论坛上，林毅夫先生说，阿斯麦的负责人表示他们开始担心不卖光刻机给中国，那么中国必然会在三年后，就可能完全掌握光刻机的核心技术。

对于阿斯麦负责人的这句话，林毅夫又进行了一个延伸性的解读

他认为如果中国掌握了光刻机的核心技术，那么中国有着成本上的优势，到时候就会将阿斯麦挤出光刻机市场。

林毅夫先生的这段话，算是对中国未来光刻机领域的一个展望。

那么三年过去了，一位国内的著名教授就站出来说，三年已经过去了，他现在有一个疑惑，在光刻机上中国取得了很大的进步。

然后呢？我们的光刻机在哪？

当然了为了说话严谨一点，他还在这段话的前边，加了三个字——客观的说。

猛地一看确实很客观，阿斯麦的负责人说三年后中国就有可能攻克光刻机的核心技术，现在三年过去了，光刻机呢？在哪里呢？

而且这位著名的教授还将三年前林毅夫先生的演讲消息，进行了转发。

意思就不言而喻了。

那么这件事就被项立刚知道了，这才怒怼了这位著名教授。

怎么怼的呢？你也不想想你的层次，你早餐花了10元钱吗，大学里好不容易混了个教授，还是副的，你有什么资格看中国的光刻机？

当然了，项立刚还做了解释。

目前阿斯麦其实每年都会出售光刻机给中国，而且数量很大，中国的芯片工厂有几十个了，最关键是高端芯片的制程都已经有国际先进水平。

只是一般人不知道而已。

现在看来，项立刚说的还是保守了，光刻机中国还真就攻克了。

那么今天就围绕着中国官宣的光刻机来说一说。

九月十五号，官宣的光刻机，属于DUV光刻机。

那么什么是DUV光刻机呢？

关于这个问题，首先应该了解一下，什么是光刻机。

芯片的制作很复杂，但有两道关键性的程序，需要两个设备来完成。

一个是光刻机，它负责画线，另一个是蚀刻机，用来把光刻机画出来的线条雕刻出来的。

这就像木工制作木制配件，木工使用墨斗，先在木料上划线，然后利用各种工具按照线条切削，最终形成需要的木制配件。

目前中国已经完全掌握了蚀刻机，拥有完整的自主知识产权。

所以蚀刻机已经从美国的管制名单中剔除了。

这也是为什么，在芯片领域中，蚀刻机很少被提及的原因。

那么芯片的制造设备中，光刻机就成了拦在中国芯片领域中最大的一块拦路石。

而光刻机根据光源又分为EUV技术和DUV技术。

DUV和EUV又有什么区别呢？

光刻机它想要在晶圆上画出线条，使用不是刀而是光，光又分很多种，有可见光、紫外线、红外线等等。

在光雕领域中，选用紫外线进行划线。

这种紫外线又会根据波长的多少，分成两个类型。

其一，波长短于三百纳米的紫外线，被叫做深紫外线；其二，13.5纳米的被叫做极紫外线。

人们印象中，阿斯麦出售的光刻机使用的就是极紫外线，被叫做EUV。

如今中国官宣的光刻机使用的是深紫外线，被叫做DUV。

这就是两者的区别。

那么这两种使用不同光源的光刻机又有什么区别呢？

其实根据两者的波长，应该能感觉出来，DUV光刻机制作的芯片制程比EUV要大。

事实上也是如此。

DUV光刻机目前最先进的光源，也只能产生一百九十三纳米的波长，这么长的波长就无法实现高分辨率，所以通常情况下，就只能制造七纳米以下以及七纳米以下的制程芯片。

而EUV就完全不一样了，因为它的波长小，所以可以制作大部分的数字芯片，以及几乎所有的模拟芯片。

而随着制程不断的进步，芯片将向着五纳米以下的制程进行进化。

也就是说EUV是未来光刻机技术的核心，也代表着先进制程。

所以从这方面去讲的话，虽然中国取得了DUV的成功，但和最先进的EUV还是差了一点。

任何的设备都是有技术专利的，阿斯麦有着目前光刻机最高的技术水准，使用的就是EUV技术。

但这个技术是完全掌握在美国手里的。

所以想要在EUV技术上绕过这些专利，难度是非常大的。

这也是当年，阿斯麦负责人敢说将全部的图纸放中国人的面前，中国人也不可能造出光刻机的一个原因。

说道这里，就会出现一个问题，难道DUV技术专利美国没有掌握？

还真是，DUV技术是由日本和荷兰独立发展起来的。

而EUV技术自出现开始就被美国全面改掌控，在1997年的时候，美国政府和英特尔组成一个联盟，叫EUVLLV。

这个联盟包括美国的三大国家实验室，以及当时美国的科技巨头公司，比如IBM、摩托罗拉等等，甚至还有几百个在这方面技术顶尖的科学家。

这些资源结合到一起，就是为了开发DUV技术。

当时日本的尼康也想加入其中，直接就给轰出去了，根本就不要。

所以美国一开始就想独立拥有DUV技术。

后来随着技术的不断研发，就出了成果。

那么阿斯麦又是怎么成为DUV技术的使用者呢？

原因是阿斯麦后来在美国建立工厂，并建设了研发基地，而且在双方合作中做出了很大的让步，这才进入到了这个联盟。

再往后阿斯麦还并购了一家美国相关企业，自此EUV技术就开始在阿斯麦进行生长。

随着时间的推移，美国在阿斯麦中的EUV技术和阿斯麦深度融合，从而全面把控了EUV光刻机。

根据双方的承诺，EUV光刻机中有55％以上的部件都是从美国进口的。

所以在EUV光刻机上，阿斯麦虽然在荷兰，但实际上只能听命于美国。

但阿斯麦因为所在地在荷兰，所以它同时还掌握着DUV光刻机技术，而这项技术美国并没有达到完全把控的地步。

于是就出现了，在美国管控光刻机的时候，阿斯麦依然可以出售光刻机给中国的事情，这些出售的光刻机就是DUV光刻机。

既然EUV技术很难，那么有没有可以绕过EUV技术从而可以制作出五纳米以下制程的技术呢？

还真有。

EUV光刻机使用的是极紫外线，而电子束使用的电子源。

所以双方在晶圆上进行绘画的刀是不一样的。

通过上边的描述，就已经明白了，波长越短，那么在晶圆上刻画出来的制程就会越先进，越小。

EUV光刻机技术的光源波长目前只能做到13.5纳米，而电子束就不一样了，比如100KeV电子束，波长可以做到0.004纳米。

所以要说继续发展下去，想要画出更小的制程，显然电子束是最佳的选择。

现在在世界上，科研人员就已经将电子束光刻作为下一代光刻机的目标了。

而美国在2000年的时候，就开始对电子束进行攻关了。

只不过到现在，电子束的攻关不是很理想，据说最大的难点是电子束在刻画的时候，曝光的速度太慢了，一个硅片就需要十分钟。

而EUV光刻机可以做到每分钟曝光两个硅片的程度。

所以电子束光刻技术目前也只能停留在实验室，而无法进行工业推广。

其实除了电子束光刻技术，还有一个NIL压印技术也可以。

NIL压印技术更加特别，它不像其他技术需要用光源在晶圆上刻画，而是事先刻画在一个模具上，然后像盖章一样在晶圆上进行盖章，从而将图案留在晶圆上。

在理论上，这种技术更加的先进，而且还可以达到更高的分辨率。

当然成本也很低。

目前这项技术已经开始应用到十五纳米的闪存器上了，据说还要在2025年实现五纳米芯片的制作。

不过这种技术目前遇到的最大麻烦就是无法进行大规模使用，原因是加工模具和材料的制约。

其实话说道这里，光刻机目前在八纳米这里遇到了分叉路，EUV技术是最成熟的，DUV技术无法继续下去，除非使用的光线波长可以继续缩短，然后就是其他技术，目前还无法做到工厂量产的水准。

所以EUV技术虽然被美国所掌握，但想要攻破八纳米以上的技术，还有其他赛道可以使用的。