报道称，已经有 50 多个组织参与了该计划的实施。目前已经启动了41个研发项目，2024年将启动26个，2025-2026年将启动另外43个，共计110个项目。

该计划由俄罗斯工业部、贸易部、俄罗斯国际科学技术中心 （ISTC） MIET 电子工程部制定，涉及半导体制造的多个环节：技术设备、材料和化学品、计算机辅助设计 （CAD） 系统。俄罗斯工业和贸易部也在完成一项单独计划的工作，以加速实现半导体设备关键部件的本地化生产。

目前俄罗斯芯片制造商 Angstrem、Mikron 等所能够生产的最先进的制程工艺依然停留在65nm或90nm等成熟节点，并且大量依赖于国外的半导体制造设备，尤其是光刻设备。

据ISTC MIET负责人雅科夫·别特连科 （Yakov Petrenko） 介绍，俄罗斯目前至少使用了400种不同型号的半导体制造设备，其中只有 12% 可以在当地生产。

自2022年2月俄乌冲突爆发后，美国、欧盟、日本、新加坡、韩国、中国台湾等地就相继出台了针对俄罗斯的半导体的出口管制，这些措施不仅使俄罗斯进口相关芯片变得困难，同时相关微电子制造设备的进口更是难上加难。

报道称，这些限制措施使得俄罗斯关键设备获取成本提升了 40% – 50%（例如，在印刷电路板上安装组件、组装终端设备、制成品的测试和质量控制的设备），因为必须通过走私途径才能进入到俄罗斯。

因此，为了降低成本并减少对于国外半导体制造设备的的依赖，俄罗斯工业部和贸易部以及 MIET制定了上述国产替代计划，重点是为微电子生产所需的大约 70% 的设备和原材料开发国内替代品。

作为该计划的一部分，俄罗斯计划开20 条不同技术路线的国产设备，包括从 180nm 到 28nm 的微电子学、微波电子学、光子学、电力电子学、光掩模生产、电子元件和模块的组装、无源电子学的生产等。

虽然该计划的战略目标看起来很明确（到 2030 年以 25.4 亿美元的价格实现 70% 的芯片制造设备和原材料的国产化），但具体的细节却相当模糊。

具体来说，俄罗斯计划在2026年底实现利用国产设备来生长单晶、切割硅晶圆、研磨和抛光、洗涤和干燥、应用元素并控制输出产品（X 射线衍射仪、缺陷控制）。同时，在2026年底完成用于 350nm 和 130nm 工艺技术的光刻设备和用于 150nm 生产节点的电子束光刻设备的开发，并能够掌握外延法（即在单个衬底上生长多层半导体材料的过程）工艺。

更远期的目标是，到2030年，俄罗斯能够自主生产65nm或90nm制程的国产光刻系统，这将显著提高该国生产微电子产品的能力，但仍将落后于目前全球行业领先水平25至28 年。

值得一提的是，在今年5月，在CIPR 2024会议期间，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）告诉塔斯社记者称，俄罗斯首台国产光刻机已经制造完成，并正在泽列诺格勒进行测试，该设备可确保生产350nm的芯片。

在预算分配方面，2400 亿卢布（25.4 亿美元）的资金支出将分布在各种国家计划当中，包括“电子和无线电电子工业的发展”计划和“俄罗斯的科学和技术发展”计划。

其中，2023-2025 年将有超过 1000 亿卢布的“俄罗斯科学技术发展”得到补贴，这笔钱将用于开发微电子、微波、电力和光电子生产设备以及各种专用材料的研发工作。2023-2030年，俄罗斯 CAD 系统开发路线图的研发 （R&D） 投入将达到 546 亿卢布。

虽然俄罗斯的半导体产业链国产化目标很庞大，但是相对于庞大且复杂的半导体产业链来说，25.4 亿美元资金投入显然是远远不够的。

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编辑：芯智讯-浪客剑