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美光科技宣布了其高带宽存储（HBM）技术的最新进展，揭示了HBM4和HBM4E的发展蓝图。

作为下一代HBM内存，HBM4和HBM4E不仅代表了性能的全面提升，还预示了AI、HPC（高性能计算）、网络等领域对定制化内存解决方案需求的崛起。

Part1

HBM4和HBM4E：

技术飞跃

HBM4预计将于2026年实现量产，其2048位接口和6.4 GT/s的峰值数据传输速率使单堆栈带宽达到惊人的1.64 TB/s。相比之下，HBM4E将在随后几年推出，带来更高的性能和功能，并支持逻辑芯片的定制化。

美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 指出，HBM4E 的最大突破在于它能够通过台积电先进制程技术制造的逻辑芯片，为特定客户提供高度定制化的基础逻辑。

这种能力不仅提升了内存模块的整体性能和功能，还标志着HBM行业迈向定制化新时代的关键一步。

美光在当前市场上也展示了其竞争力，HBM3E系列中的8-Hi设备已经全面出货，用于Nvidia的Blackwell处理器，而12-Hi堆栈则正在主要客户中测试。

相较于竞争对手的8-Hi产品，美光的12-Hi产品功耗降低了20%，内存容量却提升了50%。这些性能数据巩固了美光在当前HBM市场中的技术领先地位。

未来，AMD Instinct MI325X 和 Nvidia Blackwell B300 系列等高性能GPU将大量采用美光的HBM3E产品。

Part 2

HBM4E 的定制化：

何以颠覆行业？

HBM4E 的定制逻辑芯片可根据客户需求进行深度优化，其潜在应用场景广泛，包括但不限于：

● 增强型缓存：满足特定计算场景的高频数据访问需求。

● 定制接口协议：优化AI和HPC等应用的数据传输效率。

● 内存间直接传输功能：减少延迟，提高数据吞吐量。

● 动态接口宽度：支持灵活的带宽分配方案。

● 高级电压缩放与电源门控：优化能效比，满足节能需求。

● 自定义ECC与安全算法：提高数据完整性和安全性。

这些功能目前尚处于推测阶段，但美光已经与多家客户展开合作，这意味着未来的HBM4E内存产品将根据不同场景需求提供差异化配置。HBM4E 的定制化能力让美光在AI和HPC市场中占据重要先机。

然而，与三星和SK海力士等竞争对手的技术对比将决定其市场地位。例如，三星与SK海力士计划在HBM4中采用第六代10nm级制造技术，而美光选择的是基于第五代10nm级工艺的1β技术。

此外，Marvell 最近推出的定制HBM（cHBM4）解决方案也将成为HBM4E的强劲竞争对手。这些解决方案的实际性能差异将决定客户的选择偏好。

小结

美光的HBM4E技术是一项性能提升的突破，通过提供定制化逻辑芯片，美光正将内存模块转变为高度灵活的解决方案，以满足AI、HPC和其他高带宽应用的需求。

在AI和高性能计算领域竞争愈加激烈的今天，HBM4E 的推出或将成为定制内存新时代的催化剂。