当前光芯片领域的技术研发呈现出以下新趋势：

材料与工艺创新

- 薄膜铌酸锂的应用：南开大学与香港城市大学合作研制的薄膜铌酸锂光子毫米波雷达芯片，实现了高测距精度和测速分辨率。武汉安湃光电建成全球首条8英寸薄膜铌酸锂生产线，其3.2T超高速光模块芯片即将量产。

- 磷化铟与硅光技术融合：长光华芯在OFC2025发布的200G PAM4 EML芯片，采用InP材料实现单波200G速率，HieFo推出的InP DFB激光器适配硅光子技术。鑫诚光电实现6英寸InP晶圆高良率生产。

- 硅光子技术规模化落地：立讯技术在OFC2025展示的1.6T光模块，采用硅光混合集成架构，单通道速率突破200Gbps。中际旭创、光迅科技已实现800G硅光模块量产，1.6T产品进入现网验证阶段。

应用场景拓展

- AI算力基础设施支撑：华工正源的1.6T硅光高速光模块采用单波200G芯片，功耗小于11W。安湃光电的3.2T芯片瞄准下一代AI集群。华工正源的CPO方案将能效比降至≤5pJ/bit，单机架算力密度提升40%。

- 自动驾驶与6G通信：南开大学的薄膜铌酸锂芯片为L4级自动驾驶提供高分辨率感知能力。清华大学团队研发的太赫兹光电子芯片，在0.3THz频段实现100Gbps传输速率，为星间链路和地面超高速通信奠定基础。

- 量子计算与光互联：中国科大首次实现超越线性光量子计算损失容忍阈值的单光子源，效率提升至98%。中科酷原的“汉原1号”原子量子计算机采用光操控技术，实现100个量子比特的纠缠。

集成与智能化

- 集成化：北京大学物理学院现代光学研究所等团队在国际上首次实现了基于集成光量子芯片的连续变量簇态量子纠缠，解决了以往集成光量子芯片面临的扩展性难题。

- 智能化：华中科技大学研发出的光芯片可自我配置以实现各种功能，用户只需设置训练目标，芯片就能基于输入和输出自我配置，简化了使用过程。

显示技术发展

鸿石智能科技有限公司自主研发的单片全彩微显示光芯片样片成功点亮，其独创的混合堆叠结构融合多种技术，实现了蓝绿外延片集成和红光精准呈现，简化了制造工艺，大幅提升光电转换效率。

新型光芯片涌现

中国成功研制出光子时钟芯片，利用光产生时钟信号，时间精度高，能覆盖所有微波频段时钟信号，计算主频突破100GHz，远超主流CPU和GPU。

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