制造芯片需要光刻机，芯片制程越先进，对光刻机性能要求越高，其光刻机的制造难度也就越高。

光刻机是芯片制造的重要工具，属于大国重器之一；它有EUV与DUV之分，其中EUV光刻机制造技术要求很高，是我们的技术短板。这些年国内的科研院所与高校一直在搞科技攻关，在一点点的解决其制造技术上的难题。

EUV光刻机由于技术难点多，目前是国内的技术短板；但是很多科研工作者在默默奉献，在搞科技攻关，一点一滴的解决先进光刻机制造中遇到的难题。

在2024年年底，哈尔滨工业大学发布的新闻中，提到在黑龙江省高校与科研院所职工科技创新成果转化大赛中，航天学院赵永蓬教授的“放电等离子体极紫外光刻光源”获得一等奖。

在“放电等离子体极紫外光刻光源”项目介绍中，提到这项技术可提供中心波长为13.5纳米的极紫外光，能够满足极紫外光刻市场对光源的迫切需求，为推动我国极紫外光刻领域发展、解决高端制造领域关键问题作出了贡献。

从项目介绍看，这项技术对于我国EUV光刻机制造的技术推进，意义重大，部分解决了EUV光刻机制造中的光源问题，让整机制造少了一个技术难题！

大家不要高兴过早，在2017年长春光机所就有EUV光源的成果，画出了32nm间距线条。这些技术距离EUV光刻机整机制造还很远，只是解决了整机制造的一些技术难点。

EUV光刻机制造的难点不仅有极紫外光源的问题，还有能量问题（能量太小搞不动芯片）与引导光线准确打到晶圆上的问题（要精密仪器做极为光滑的多片透镜反射镜）；可见制造出EUV光刻机的技术难点有很多，好在有很多科研人员在向前推进。

哈工大在2024搞定“13.5纳米的极紫外光”的技术，是对大国重器建设的一个有力支持；让先进制程芯片的技术难点又少一个，让国内先进光刻机造成迎来曙光！

在2024年，华中科技大学解决了芯片制造中的光刻胶生产技术。这项技术突破，让国内可以自主生产这项产品，也少了一项芯片制造中的“卡脖子”问题。此前这项技术一直被日本企业所掌控；华科大与某企业的技术突破，打破了该企业的技术封锁！

文末总结

芯片制造技术，是我国很少没有完全自主的行业；在被“卡脖子”后，很多人科研人员都在憋着一股劲，在攻克一些相关技术的难点；哈工大与华科在2024年就为国人带来了好消息，成功的突破了“它们”的技术封锁，自主拥有。

哈工大与华科的技术突破，仅是解决先进芯片制造中很多技术难题的几步；后面还有很多技术问题需要解决；希望我们的科研人员继续努力，早日实现科技自立自强！