2024年前两个月，中国芯片出口数量达到了394.1亿个，同比增长6.3%，出口金额达到1607.1亿元，同比激增28.6%。

中国芯片出口快速增长，标志着国产芯片的竞争力和影响力正在快速提升，也为整个国产芯片产业链带了无限的想象空间。

我们都知道芯片号称信息时代的“发动机”，更是数字技术、AI、物联网的核心底座，同时也代表着国家高端制造能力。

过去10年时间里，全球芯片从28nm工艺，不断提升，14nm、7nm、5nm，直到今天的3nm，也带动了我国芯片工艺的不断提升。

2014年9月，国家大基金一期正式成立，筹备资金达到了1387亿，主要用于投资芯片和集成电路产业，二期资金更是达到了2000亿，单个项目投资就达到了百亿规模。

到了2019年，我国各地设立的集成电路产业基金突破了7000亿元。这一年，中国内地晶圆代工龙头企业中芯国际登上了科创板，AI芯片企业寒武纪市值大爆发，让中国芯片投资迎来了一波小高潮。

2020年，国产芯片投资413起，金额达到了1400多亿，同比增长了4倍，涉及芯片设计、制造、封测、EDA、半导体材料、半导体设备等多个领域。

2022年，国产芯片上市公司突破200家，中国芯片迎来一个崭新的黄金时期。

2023年，中国进口芯片4795亿颗，较2022年下降10.8%；进口金额3494亿美元，同比下降15.4%。这一年，华为发布了自主研发的麒麟9000S。

麒麟9000S CPU采用了自主研发的Ascend架构、GPU采用了马良910，支持高线程，并且制造、封测也是由内地企业完成。

海外媒体惊呼，中国芯片发展神速，这一年中国芯片自给率达到了23.3%。

进入2024年，中国芯片更进一步，不仅进口数量进一步下降，出口数量也实现了近30%的增长率。

但是，我们也要看到，中国芯片的艰难处境，看清美国为首设置的“硅篱笆”，对我国的封锁限制。

2020年，美商务部将中芯国际列入实体清单，在技术、零部件、设备的获取方面收到了限制，就连订单也不能随便接。

2022年，美商务部把长江存储、长鑫存储、上海微电子等36家中国企业列入了实体清单，中国芯片遭到了全方位的打压限制。

2023年，美、日、荷相继颁布半导体设备出口限制政策，EUV光刻设备、高端DUV光刻设备均受到了出口管制，尽管三方均表示不针对任何国家和地区，但明眼人一看就知道针对我们。

同时，美商务部还限制英伟达、AMD出口高性能AI芯片，包括英伟达A100、A800、H100、H800，AMD的RX7900系列，MI300系列。

没有先进的光刻设备、缺少AI芯片对中国芯片产业的未来威胁很大，所以在2023年下半年，国内企业加快了光刻设备的进口力度。

仅2023年12月，中国大陆从荷兰进口光刻设备金额就高达11亿美元，同比暴增1000%，大幅超过10月的6.7亿美元，和11月的8.2亿美元。全年进口半导体设备总额也接近400亿美元。

这些设备可以让我们继续保持芯片制造领域的扩张，当然主要是14nm以上的成熟工艺，7nm以下先进工艺的产能仍然不足。

想要实现先进工艺，依靠进口设备是不可能了，我们只能加大研发，走国产设备的道路。

好在，国产光刻机已经取得了很大进步：

1、中科院长春光机所实现了EUV光源的巨大进步，尽管官方并没有公布具体细节，但是中科院院长白春礼高度评价了“长春光机所在高端光刻‘卡脖子'领域的技术突破”；

2、我国自主研发的反射镜取得很大进步，与蔡司的水平进一步缩小；同时攻克了反射镜的镀膜难题，研发了国产镀膜装置；

3、上光所EUV光源团队攻克极紫外光的核心部件之一锡液滴发生器，这是产生EUV光源必需的设备之一；

4、清华大学和华卓精科合作，攻克了双工作台技术，将误差进一步缩小至2nm，达到了EUV的技术要求。

如果未来几年，我们能够研发出国产EUV光刻机，实现5nm、3nm工艺，那么国产芯片将会彻底摆脱“卡脖子”问题。

一方面研发先进半导体设备，另一方面在成熟芯片领域快速扩展，堵住台积电、三星等巨头的退路。

中芯国际斥资1500亿在北京、上海、深圳、天津新建4座晶圆厂，产能为35万片/月；

华虹集团投资470亿，在无锡新建一条12英寸晶圆生产线，新增产能8.3万片/月。

晶合集成投资210亿元，在合肥新建了一条12英寸晶圆生产线。

这些产能涉及电源模拟、高压驱动、微控制器、混合信号、射频、图像传感器等。

如果说从2008年到2013年是中国芯片的落寞之年，是坐冷板凳的时代，那么从2014年到现在的10年，就是中国芯片快速发展的10年，也是中国芯上场的时代。

中国芯的上场，让世界芯片格局发生了微妙的变化：

英特尔、SK海力士、三星纷纷在我国投资建厂，美光西安工厂扩厂，台积电南京晶圆厂扩产，并且进展十分顺利，甚至有些超预期，使得我国芯片总产能超越美国，位居全球第一。

反观台积电、三星在美国投资建厂，纷纷遇阻。台积电亚利桑那州晶圆厂，耗资400亿美元，但是正面临着人才紧缺、基础设施不足、补贴无法拿到等多种问题，致使工厂被迫延期。

三星计划在美泰勒晶圆厂投资170亿美元，但是过去一年的建造成本相比原计划翻了一番。明显高于原计划，主要原因竟然是美国的通货膨胀。

同时，华为海思杀入了高端芯片设计领域，完全可以媲美高通、英伟达；长江存储也实现了232层3D闪存的量产，时间节点要早于三星、SK海力士；长电科技成为了全球第三大半导体封测厂商，仅次于日月光和安靠。

国产EDA、半导体材料也在有条不紊的发展，虽然“卡脖子”的光刻机依然没有解决，但进步是有目共睹的。

中低端芯片，我们已经做到了领先，高端还远吗？

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