基于美方在尖端科技上早早就投入研发，如今半导体领域受其大规模控制，站在了国际市场的尖端位置，但有着如今的成就，不乏存在华人的帮助。

不久前，美国芯片取得革命性的突破，可项目中的核心成员却是华人，令人不免感到寒心，面对如此困境，外媒更是冷嘲热讽道：中国芯输了！

自从进入了信息化时代，芯片的重要性就尤为突出，全球都在致力于半导体领域的部署和研发，美国更是以多年来的成绩占据了国际市场上的顶流。

而相比于此，中方的半导体发展就没有这么可观，一直处于14nm以上的水平，正因美方控制着半导体芯片制造设备、EDA工业设计软件的缘故，所以中国一直无法获得领域的优势。

得益于中企的努力，中国芯片逐渐突破，制造工艺达到了7nm先进制程，不过由于使用DUV光刻机的缘故，制造成本略显高昂，所以一直没有实施大规模量产。

此外，中国还自研进入了量子芯片、光子芯片领域，大陆上已经建立了全面国产化的两条生产线，与美芯片展开了白热化的竞争，逐渐拉近双方的差距。

按照这种趋势来看，很多人都认为，中国芯追赶甚至超越美国芯片只会是时间问题，可一个新消息的出现打破了这份平衡。

根据不久前多家美国媒体的报道，美国麻省理工学院的一支研发团队，打破了如今的芯片局面，开拓出了一个新的半导体赛道。

MIT采用了一种名为二硫化钼（MoS2）的材料打造了全新的原子级薄晶体管，这种设计概念很可能将打破原先硅基芯片的隧穿效应。

要知道硅基芯片相对目前的使用情况来看，隧穿效应造成了不小的影响，尤其是先进制程芯片，其中不乏存在发热、降频、耗电不稳定等情况。

即便是目前市场上代工水平最强大的台积电，依旧无法通过成熟的工艺技术缓解这种物理影响，可麻省理工学院的最新成功也许将可以解决这个问题，可以说是取得了革命性的突破。

但可惜这是美国的成果，如今中美科技战逐渐进入“白热化”阶段，这项新概念技术将会给美方起到极为重要的作用。

这项超薄0.3nm晶体管的体积得到压缩，同体积的情况下能够释放出更加强大的性能，就连高温瓶颈问题都被解决。

不得不提的是这项美芯技术突破，其中最主要的核心人才却是华人，提及到的高温瓶颈这个一直以来无法解决的问题，正是这位华人科学家的努力，才促使这项技术最终完成突破。

不过令人感到惋惜，因为这位华人成就的美方的科技突破，正如国内一直说的：“真正在半导体领域卡我们脖子的并非美国人，而是中国人！”

这一系列的情况，突破了中方人才流失，不仅没有为祖国尽一份力，反倒是促成了竞争对手的研究成果，外媒对此表态认为：中国芯片输了！

面对外媒的说法，即便如今中美科技战的差距再一次扩大，可中方必然是不可能认输的，即便如今美国的科技突破有着可观的实力，中国依旧会像在盾构机、高铁等领域一样，后来者居上！那么大家对此怎么看？欢迎评论区留言！