新能源汽车、能源转型、人工智能等领域的快速发展，显著推动了碳化硅（SiC）需求的增长，终端对于SiC降本的诉求也在不断增强。而在SiC产业链中，SiC衬底成本在整个成本结构中占比最高，因此具有成本优势的大尺寸衬底逐渐受到业界的高度期待。

目前，6英寸SiC衬底仍占据主流市场，但8英寸衬底正在逐步渗透。与6英寸衬底相比，8英寸SiC衬底的成本可降低约35%，且能够切割出更多晶片，边缘浪费更少，使得材料的有效利用率大幅提升。因此国内外厂商均在加速研发、扩产，进军8英寸碳化硅。

据相关新闻报道，近年来，国际功率半导体巨头已经频频联手国产碳化硅衬底、材料等环节企业，加速发展8英寸碳化硅。这一趋势背后既反映了国际龙头对中国碳化硅衬底厂商技术进步的认可，另一方面也是看中中国新能源市场机遇，寻求本地化供应。

下面充电头网查询各方资料，为大家介绍一下全球碳化硅8寸晶圆厂建设进度。

英飞凌在2024年8月8日宣布，其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期项目正式启动运营。项目投资额20亿欧元，重点生产碳化硅功率半导体，同时也涵盖部分氮化镓外延生产。

英飞凌在社交平台上官宣，该厂将于今年底开始生产碳化硅产品，预计2025年可实现规模量产。英飞凌于2022年2月宣布斥资20亿欧元，在马来西亚居林工厂建设第三厂区，后又于2023年8月宣布再投入50亿欧元进行扩建，总投资额上升到70亿欧元。一期项目以碳化硅为主力，还将包括氮化镓外延；二期投资额将打造全球最大、最高效的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂。

2024年6月18日，士兰微电子在厦门市海沧区正式启动了国内首条8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目，项目名称为：“士兰集宏”，总投资高达120亿人民币。

该项目将分两期建设，旨在形成年产72万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。第一期项目投资70亿元，预计在2025年第三季度末完成初步通线，并在第四季度实现试生产，目标年产2万片。2026年至2028年间，士兰微计划持续提升产能，最终实现年产42万片的目标。

在2024年8月6日，安森美宣布将于今年晚些时候对200毫米（8英寸）碳化硅晶圆进行认证，并于2025年投产。

安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示：“我们仍然在朝着我们所说的今年将获得 8 英寸资格的轨道上，这就是我谈论资格的时候，它是一直通过晶圆厂的基板。因此，这将在今年获得资格，明年开始营收符合我们的预期。正如我们最近与大众汽车集团的供应协议所反映的那样，随着我们与欧洲、北美和中国的全球领先原始设备制造商一起提高产量，我们还继续加强我们在汽车领域的碳化硅地位。”

在2024年3月26日，Wolfspeed旗下耗资50亿美元（折合人民币约361亿元）的8英寸碳化硅（SiC）制造中心宣告封顶。这座工厂位于美国北卡罗来纳州的查塔姆县，是Wolfspeed全球产能扩张计划的一部分，预计将在2025年上半年开始生产。一旦全面运营，这座工厂将显著提升Wolfspeed的SiC衬底产量，预计将使SiC衬底产量扩大10倍，满足电动汽车、电信设备、能源转型、人工智能等领域对SiC的需求。此外，该工厂的建设和运营也将为当地带来经济利益和就业机会。

同时Wolfspeed已在美国纽约的莫霍克谷中拥有全球首家且最大的8英寸SiC 工厂，这家工厂于2022年4月正式开业，总投资为10亿美元（约合人民币71.2亿），占地面积为55英亩，主要生产8英寸SiC晶圆。

图片来源：重庆发布

2023年6月7日，意法半导体宣布将与三安光电在中国重庆合作建设一座新的8英寸碳化硅器件合资制造厂，预计2025年第四季度开始投产，并将在2028年全面建成。该工厂将采用意法半导体的SiC专利制造工艺，专注于为意法半导体生产碳化硅器件，旨在支持中国汽车电气化、工业电力和能源领域的快速增长需求。项目总投资约32亿美元，其中未来五年的资本支出预计为24亿美元，资金来源包括公司自有资金、重庆政府支持以及外部贷款。

此外，三安光电计划独资在重庆设立一座8英寸碳化硅衬底工厂，投资约70亿元，以配套支持合资工厂的生产需求。该工厂将专注于碳化硅衬底的制造，双方将签订长期供应协议。合资项目公司暂定名为“三安意法半导体(重庆)有限公司”，三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体（中国）投资有限公司持股49%。达产后，合资工厂每周将具备生产10000片8吋碳化硅晶圆的能力，预计年营收可达170亿元人民币。

根据2023年7月13日的消息，罗姆宣布计划在2024年末开始在其位于日本宫崎县的工厂生产8英寸碳化硅衬底，该工厂原为出光兴产旗下，后被罗姆收购并改造成碳化硅功率半导体生产基地。罗姆的目标是到2030财年将其碳化硅产能提升至2021财年的35倍，并且计划在2027年度结束前累计对SiC功率半导体事业投资5,100亿日元。

三菱电机的8英寸SiC晶圆厂建设进度正在按计划推进。根据2024年6月4日的消息，三菱电机在业绩说明会上宣布，为响应市场需求，位于熊本县的SiC晶圆厂将提前开始运营。原计划于2026年4月开始运营的工厂，现在预计将在2025年11月开始运营，提前了大约5个月。

三菱电机在2023年3月宣布了约1000亿日元（约合46亿人民币）的投资计划，主要用于建设新的8英寸SiC晶圆厂，并加强相关生产设施。新工厂将位于熊本县石井地区，并计划引入具有先进能源效率和高自动化生产效率的洁净室。此外，三菱电机还计划加强其6英寸SiC晶圆的生产设施，以满足当前市场需求。

三菱电机的目标是到2030财年将功率半导体业务中SiC的销售额比例提高到30%以上，并且与2022年相比，公司2026年的晶圆产能将扩大约5倍。

全球8英寸碳化硅晶圆的生产进程正在稳步推进，各大厂商的战略布局将为未来的市场竞争奠定坚实的基础，碳化硅市场正在迎来一个新的发展高峰。这些新建与扩建项目不仅将在未来几年内逐步释放8英寸产品的产能，也将为整个行业带来技术和工艺的持续进步。从长远来看，碳化硅技术的成熟与普及也将进一步推动新能源汽车、工业电力以及人工智能等领域的发展。

国内外企业的积极投入表明，碳化硅作为下一代功率半导体材料，其重要性已经得到了广泛的认可。随着2025年后各大工厂的陆续投产，市场对高效能、高可靠性的8英寸碳化硅器件需求将会显著提升，进一步加速行业的升级换代。