美国多年来，一直举棒打击中国的芯片领域，让中国陷入“缺芯少魂”的境地，当中国的企业对外宣布已大量生产7nm芯片时，事情变的不简单，美国也没办法再扭转这一局势，只能是眼巴巴的看着中国芯片达到7nm的工艺水平。

一直以来，中国的芯片的起步是很晚的，美国、韩国、日本开始在全球领先时，我们中国的芯片相当于一个未起步的状态，和别国相差十万八千里。让人没想到的是，在这种情况下，中国顶着各方压力，造出了7nm的芯片，代表着我们从28nm的芯片，到16nm再到7nm，有着很大的突破和进步，在短短的五年时间内，做到了飞一般的进步。

相当于导弹超音速的级别，有如此大的进步和提升，功不可没的一定是没日没夜熬出来的科技技术团队，7nm对技术上的要求是极高的，中国一直都是做中低端的芯片而闻名的，高端芯片的技术，对要求和设备都有极高的挑战。说实话我们是没有这样的设备，所以才会进口国外的阿斯麦光刻机技术，可荷兰阿斯麦公司出口给我们的光刻机机型，也是中低端的，高端的光刻机是被美国限制，不能出口给我们。

面对这种事，就只能自己造，没错，自己造是可以的，但是也要你能造的出来，当时的美国就放出这样的言论，说中国没有光刻机没有材料技术，达不到这一水平，他们根本就不信中国能造出12nm以下的芯片技术，台积电的芯片都是主做5-6nm，2-3nm的水平都还没大量出现，台积电是全球唯一的代加工芯片厂，技术是不可能和我们相提并论的，我们对比台积电的差距还是有，可想而知做到7nm是有多不容易。

我国造出7nm芯片后，都供用在国内市场，华为表示会用大量的7nm芯片在华为的新机上，还有其他设备方面，中国市场的需求量是极大的，也就说明生产出的7nm芯片会先使用在国内产品上，业内人士就表明，做到7nm这成绩相当的不容易，团队是在极高的压力强度下造出的7nm芯片，每次芯片的制程升级，都是极其复杂的，还需要不同的材料，要说到7nm的芯片，我们的科研团队相当于是在一年以内研发出的，要知道少则要三五年才能研发出一款芯片，随着制程不同，难度会再提高。

越薄越小，需要的精细微缩要求更高，7nm芯片的产生是利用了紫外光刻的技术，要克服的不仅是技术上，还涉及到光学等各大领域，要换算出所有的精准度，做出7nm也是极为不容易的，可我们还是做到了，为此，美国也说能做到7nm是达到了国际水平，也就是说，我们的技术是个国际上接轨了，不再低于国际水平，甚至某个层面上达到了高于国际水平的高度，科研人员表示，会加快生产3-5nm的芯片研发和生产。