三星电子内部已确认在平泽P4工厂建设1c nm DRAM产线的投资计划，目标明年6月投入运营。

平泽P4是一座综合性半导体生产中心，分为四期。

在早前规划中，一期为NAND闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为DRAM。

三星已在P4一期导入DRAM生产设备，但搁置了二期建设。

1c nm DRAM是第六代20-10nm级内存工艺，各家的1c nm（或对应的1γ nm）产品目前均尚未正式发布。

三星电子计划在今年底启动1c nm内存生产。

考虑在明年下半年推出的HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片，以更先进的DRAM制程提升HBM4产品的能效竞争力，追赶SK海力士。

考虑到HBM内存对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存，平泽P4建设1c nm DRAM产线也是在为可能的HBM4生产需求做好准备。