SK海力士宣布计划开发4F2（方形）DRAM。

自1c DRAM商业化以来，极紫外 (EUV) 工艺的成本一直在快速上涨。

现在是时候考虑以这种方式（即使用EUV）制造DRAM是否有利可图。

SK海力士正在考虑为未来的DRAM制造垂直栅极 (VG) 或3D DRAM。

VG是内存制造商内部所称的4F2。

三星称为垂直通道晶体管 (VCT)。

4F2是一种经过深入研究的单元阵列结构，其中晶体管垂直堆叠，也称为3D DRAM。

从下往上依次为源极、栅极、漏极和电容。

字线连接到栅极，位线连接到源极。

与6F2 DRAM相比，采用这种方式的单元阵列可以将芯片表面积减少30%。

三星电子和SK海力士计划在10纳米及以下节点将4F2与DRAM结合使用。

SK海力士表示，采用VG或3D DRAM，该工艺设计可以将EUV工艺的成本降低一半。

三星同时也在研究3D DRAM。