中微BAT32G113是一款32位超低功耗MCU（微控制器），以下将重点突出这款芯片的特点特性、应用场景以及关键数据：

一、特点特性

超低功耗：

BAT32G113具备出色的低功耗性能，支持睡眠和深度睡眠两种低功耗模式。其运行功耗为80uA/MHz@64MHz，在深度睡眠模式下功耗更是低至1.5uA，非常适合对功耗有严格要求的应用场景。

高性能32位内核：

采用高性能的ARM Cortex-M0+ 32位RISC内核，工作频率高达64MHz，提供强劲的处理能力。

高集成度：

集成32KB Flash和4KB SRAM，满足大多数应用的数据存储需求。

集成A/D转换器、D/A转换器、温度传感器、比较器及运放（PGA）等模拟资源，简化外围电路设计。

支持I2C、SPI、UART等多种标准接口，方便与其他器件通信。

宽工作电压范围：

支持2.0~5.5V的宽工作电压范围，适应不同应用场景的供电需求。

工业级温度范围：

工作温度范围可达-40℃~125℃，适用于各种极端温度环境下的工业应用。

小封装：

提供QFN24和QFN32两种小封装形式，尺寸仅为3mmx3mm，非常适合空间受限的应用场景。

二、应用场景

光模块：

BAT32G113的高集成度、低功耗和小封装特性使其成为光模块的理想选择，可用于光电转换模块、光纤网络模块等。

传感器：

其丰富的模拟资源和低功耗特性使得BAT32G113非常适合用于各种传感器应用，如温度传感器、压力传感器等。

工业通讯与测量仪器仪表：

在工业通讯和测量仪器仪表领域，BAT32G113的高性能、高可靠性和低功耗特性能够满足复杂环境下的应用需求。

智能传感自动化系统：

适用于各种智能传感自动化系统，如智能家居、智能安防等，提供稳定可靠的微控制器解决方案。

三、关键数据

内核：ARM Cortex-M0+ 32位RISC内核

工作频率：64MHz

存储器：32KB Flash，4KB SRAM

工作电压：2.0~5.5V

功耗：运行功耗80uA/MHz@64MHz，深度睡眠模式下功耗1.5uA

模拟资源：12Bit ADC（采样率1.42Msps，10个外部复用通道），12Bit DAC（2通道），温度传感器，比较器（2通道），可编程增益放大器（1通道）

接口：I2C（支持从机双地址），SPI，UART（2个，其中UART0支持软件LIN-Bus）

工作温度：-40℃~125℃

封装：QFN24，QFN32

综上所述，中微BAT32G113是一款具有超低功耗、高性能32位内核、高集成度和小封装特性的MCU，广泛应用于光模块、传感器、工业通讯、测量仪器仪表以及智能传感自动化系统等场景。