12月18日，韩国媒体《Etoday》发表文章称，中国的半导体独立并不是一句空话，在美国提高对中国半导体出口限制的同时，中国正在提高自己的生产能力。据分析，随着监管力度的加大，中国半导体产业的自给自足能力也在增强。特别是在韩国半导体企业的主力产品高带宽存储器（HBM）部分，追赶速度预计将加快。随着美国加强半导体制裁，确保韩国企业的超差距技术能力也迫在眉睫。

据市场研究公司Trend Force统计，去年中国汽车产量为3016万辆，同比增长12%。中国被认为是世界上最大的汽车生产国，但与其汽车产量相比，中国汽车芯片的国产化率并不算很高，只有5%。中国汽车使用的大多数汽车芯片由美国公司主导。

然而，随着美国政府加强对中国半导体出口限制，中国汽车芯片的自主产量正在增加。Trend Force预测，今年年底中国汽车芯片国产化率将升至15%，明年将达到25%。

分析认为，这虽然也有2021年中国国内汽车芯片不足的原因，但随后美国对华半导体出口制裁政策加快了中国国内的生产速度。

美国对华半导体出口法规很早以前就开始了，但美国政府近期公布的法规中一个新的部分是HBM。

HBM是一种高附加值产品，符合人工智能（AI）趋势，是韩国半导体企业重点关注的领域。不过，近期美国制裁力度加大，中国追击速度加快。韩国业内人士担心，此次制裁将导致中国企业HBM产能增加。

中国长鑫存储于8月开始量产HBM2（第二代）。由于美国监管加强，该项目比原计划提前了两年启动。

据半导体研究机构Tech Insight透露，长鑫存储最近也在开发HBM3（第四代）。与韩国企业的差距正在缩小。SK海力士和三星电子宣布计划到明年将HBM3E（第五代）的堆叠层数从8层增加到12层和16层。

韩国祥明大学系统半导体系教授李钟焕表示，“美国在AI半导体生产方面牵制中国，如果这种现象持续下去，中国的竞争力必然会上升得更快。从韩国企业的角度来看，HBM向中国出口变得困难，损失很大，但从中国的角度来看，这是快速获得HBM技术的原因。”

三星电子、SK海力士和美国美光正在构建“三强格局”的DRAM市场，中国正在迅速追赶。

今年，长鑫存储大幅增加了成熟产品DDR4和LPDDR4X的产量。另一方面，SK海力士和三星电子正在逐渐将份额转移到下一代DDR5和LPDDR5X。

韩国DRAM制造商一直在制定差异化战略，保持与中国公司不同的产品组合，最近长鑫存储也开始开发DDR5、LPDDR5和LPDDR5X，两国DRAM技术差距正在缩小。Tech Insight预测，长鑫存储最快将于2026年底至2027年初进入10纳米以下的最新工艺。

韩国一位半导体行业相关人士表示：“美国对中国半导体的制裁力度越来越大，这也是韩国企业扩大半导体技术差距的机会。但另一方面，也可能最终增强中国自身的技术能力”。

他还表示，“为了应对中国的追击，韩国企业应该更快地准备新一代半导体。”