4月22日，韩国媒体《商业邮报》发表文章称，在美国加强针对中国的半导体监管的同时，中国实际上正在加速完善自身的存储器半导体供应链和技术能力。

中国正在迅速提高半导体材料、零部件和设备、高带宽存储器（HBM）以及DRAM和NAND闪存等通用存储器方面的技术独立性。因此，有观察认为，与三星电子、SK海力士等韩国存储器半导体公司的技术差距将迅速缩小。

有分析称，美国针对中国半导体的管制，其实是在推动中国建立自己的半导体供应链。

中国半导体设备制造商新凯来近日宣布，计划于2026年推出先进半导体工艺的关键设备“光刻机”。

光刻设备是将半导体设计图上的电路图案绘制到硅晶圆上的工艺设备，是半导体制造的核心设备。

新凯来已设定目标，要用自己的产品取代所有进口的半导体光刻设备。目前，全球仅有荷兰的ASML公司能够生产极紫外（EUV）光刻设备，但由于美国半导体出口限制，中国无法进口此类设备。

EUV设备用于一般DRAM制程中14纳米以下的超微细电路制程，以及晶圆代工厂中5纳米以下的先进微细制程。如果没有EUV设备，就不可能制造最新的精细纳米工艺半导体。

新凯来的目标是弥合至少几十年的技术差距，预计将对全球半导体行业产生重大影响。有分析认为，“新凯来的影响可能会与中国的DeepSeek或华为的7纳米半导体达到同等水平。”

中国存储器半导体公司长鑫存储正在努力开发HBM，有消息称第二代HBM2已开始量产。这比原定的2026年量产计划提前了约一年。

SK海力士2016年开发出HBM2，2019年开发出第三代HBM2E，2021年开发出第四代HBM3，2023年开发出第五代HBM3E。今年又推出第六代HBM4样品，显示出与长鑫存储约9年的技术差距。

然而，长鑫存储的追赶速度非常迅猛。据说该公司开发HBM已有两年多时间。因此，有观察认为，长鑫存储的下一代第三代HBM的开发速度将比SK海力士或三星电子的开发速度快得多。

韩国汉阳大学教授白瑞仁在分析HBM研究动向时预测，“韩国与中国在存储器半导体技术方面的差距，可能会从10年左右缩小到几年内”。

另外，中国第三大半导体公司通富微电子也已成功研发出HBM2。

分析认为，美国半导体法规在中国半导体技术加速发展中发挥着重大作用。

美国战略与国际研究中心（CSIS）的报告解释道，“美国半导体出口管制促进了中国的技术独立，并为中国进一步强化国内半导体生产的目标提供了契机”。

已经有评估认为，中国在NAND闪存技术方面领先于韩国。三星电子已决定从其第10代NAND闪存产品开始使用中国长江存储的“混合键合”技术专利。

垂直堆叠NAND闪存非常重要，而混合键合对于生产400层NAND至关重要。

韩国一位业内人士表示，“由于中国在短期内提升了存储半导体技术能力，韩国很难长期保持超级差距，中国要达到韩国的技术水平，用不了10年”。