本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
台积电、英特尔等公司项目建设延期。
《金融时报》近日报道称，尽管美国通过《通胀削减法案》和《芯片与科学法案》提供了超过4000亿美元的税收优惠、贷款和补贴，以推动本土清洁能源技术和半导体产业的发展，但由于投资者暂停计划，美国制造业的复苏进程受到推迟。
据悉，该法案涉及114个重大项目，总投资额达2279亿美元。但总投资额约840亿美元的项目面临从两个月到数年的延期，有些甚至无限期延期。这些延期的项目包括多个半导体项目。
相关公司表示，市场状况恶化、需求放缓以及国内政策的不确定性是改变投资计划的原因。
台积电推迟亚利桑那州工厂的生产8月13日，台积电公布多项董事会决议，包括批准近296亿美元的资本预算，其中，台积电批准为其全资子公司台积电亚利桑那工厂注资高达75亿美元。
台积电原本计划未来几年在亚利桑那州建设三座晶圆厂，总投资额达 650 亿美元。然而，据 《纽约时报》最近报道，尽管宣布这一计划已经四年了，但亚利桑那州工厂至今还没有生产出一块芯片。
台积电在中国台湾以高强度的工作模式而闻名，但这种工作方式在美国遭遇了文化冲突，许多美国员工对此表示不满，甚至选择离职。
为了解决这一问题，台积电已经开始采取措施，包括管理人员沟通技能培训课程，减少会议频率和人数，期望营造更加宽松的工作氛围 。
据报道，文化差异以及与英特尔的劳动力资源竞争是导致台积电亚利桑那州工厂面临挑战、导致生产延迟的因素之一。
台积电于 2020 年 5 月宣布计划在亚利桑那州建设导体晶圆厂，最初计划于 2021 年开始建设，预计 2024 年开始生产。第二座晶圆厂于 2020 年 12 月宣布建设，目标是 2026 年投产。
今年5月，台积电官网显示，亚利桑那第一座晶圆厂的投产时间已推迟至2025年上半年，第二座晶圆厂的投产时间也推迟至2028年。
至于第三座晶圆厂，台积电尚未透露动工日期，但官方计划是在2030年代末开始生产。
按照台积电的规划，亚利桑那第一座晶圆厂将采用4nm制程技术，第二座晶圆厂将采用2nm技术，第三座晶圆厂将采用2nm或更先进的制程技术。
英特尔推迟俄亥俄州项目建设美国半导体制造商英特尔计划未来5年投资1000亿美元在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州新建晶圆厂和扩建工厂，创造1万个制造业岗位和2万个建筑业岗位。
不过，据报道，由于市场低迷和美国补贴延迟，英特尔已推迟了其在俄亥俄州的200亿美元芯片项目。
英特尔将在俄亥俄州新建两座先进晶圆厂，初步计划于2025年开始芯片生产。经过调整，英特尔位于俄亥俄州的Fab1和Fab2项目完工时间被推迟至2026-2027年，预计2027-2028年左右开始运营。
随着芯片制程向3nm、2nm演进，晶圆厂投资需求激增，半导体企业面临资金压力。在此背景下，英特尔不仅推迟了俄亥俄工厂的建设，还对其欧洲项目进行了调整。
英特尔计划在德国马格德堡投资 300 亿欧元建设两座晶圆厂 Fab 29.1 和 Fab 29.2，最初定于 2023 年下半年动工。
但由于欧盟补贴确认延迟，以及需要清除施工现场表土，英特尔将开工日期推迟至2025年5月。此外，英特尔还暂停了在法国和意大利工厂的投资计划。
三星推迟泰勒工厂项目最初，三星计划在美国德克萨斯州泰勒市建设一个半导体集群，包括两座先进逻辑晶圆厂和一座先进封装设施，并获得美国高达64亿美元的补贴。
这家即将建成的新工厂将是三星在美国的第二座芯片工厂，第一座位于得克萨斯州的奥斯汀市，自 1996 年以来一直保持运营。首座晶圆厂于 2022 年开始建设，最初计划于 2024 年开始生产，具备 4nm 工艺能力。不过，美国当地媒体指出，该工厂可能要到 2026 年才能开始运营，这一延迟很可能是由于代工市场放缓以及美国补贴发放延迟。
同时，据Tom's Hardware和韩媒ETnews报道，随着半导体工厂建设的推迟，三星可能会将该工厂的先进工艺技术从4nm升级至2nm。
此次调整旨在增强三星在先进制程方面的竞争优势，使其更有效地与台积电、英特尔和Rapidus等竞争对手抗衡。
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