在国家平台发布了氟化氩光刻机的信息之后，媒体平台上面看到这款光刻机套刻技术可以小于等于8nm，就大肆宣传国产光刻机可以通过叠加工艺制造8nm芯片，这是一个非常错误的说法，而且跟实际的情况相差非常大。

在国家平台公布的信息当中，有两款光刻机设备：氟化氪光刻机和氟化氩光刻机。

氟化氪光刻机：

氟化氩光刻机：

这两款光刻机在光源部分有着很大差别，氟化氪的分子是KrF，氟化氩的分子是ArF，两种分子的照明波长不同，现在DUV光刻机采用的都是氟化氩ArF的193nm波长。

包括后来制造工艺更先进的浸润式光刻机，也都是在以上这种干式光刻机的基础上，通过在其中加入介质，将波长缩短，才可以继续进行水平更高的芯片制造。

而EUV光刻机所使用的极紫外线光源，直接照射的波长是13.5nm。对比DUV光刻机的193nm，完全不在一个技术层面，甚至可以说是上一个时代的技术产物。

现阶段，芯片工艺的提升，带来的直接效果就是提升芯片内部晶体管的堆叠密度。晶体管的体积越小，堆叠数量也就越多，芯片整体的性能也就越来越强。

晶体管内部有源极、漏极、栅极三种因素，一般所说的几nm芯片，指的就是晶体管内部栅极的长度。

拿7nm工艺制造的芯片举例，7nm芯片内部的鳍片与鳍片之间的距离在30nm，如果要将制造工艺下探到5nm、3nm，需要继续缩短鳍片之间的距离。在这种情况下，如果光刻机的分辨率达不到标准，是无法进行制造的。

以ASML的NXT 1980Di进行举例，这款设备的分辨率是38nm。虽然38nm＞30nm，无法直接制造7nm芯片，但是可以通过多曝光的技术，实现30nm的晶圆图形。

我国现在公布的氟化氩光刻机，分辨率为65nm，与38nm的差距较大，无法参与7nm等工艺芯片的制造，更不要说去通过多曝光的技术来提升工艺了。

而套刻这个概念，指的是上下两层晶体管之间的对准精度。如果精度有偏差，那么套刻之后的偏差会越来越大。

进行多曝光技术的前提，就是需要套刻精度要足够的精密。ASML的NXT 1980Di，这款光刻机的套刻精度在2.5nm，这个水平的对准精度是可以通过多曝光制造7nm芯片的。

再回到我们的国产光刻机上面来，国产光刻机的套刻精度是最大是8nm，可以进行55nm芯片的制造。如果在8nm套刻精度的基础上进行多曝光技术，那么我们这台光刻机的极限只能满足40nm芯片的制造。

想要打破技术瓶颈，就需要用到林本坚开创的浸润式技术，将193nm的波长继续缩短，才可以进行更高水平的芯片制造。浸润式技术的下一个技术时代，就是我们现在所说的极紫外线EUV工艺。

目前来说，我们的国产光刻机还停留在干式光刻机的技术层面，比干式光刻机更先进的是浸润式，然后就是极紫外线。

虽然距离国外设备的差距相当大，但是对于我国的光刻机事业来说，这个设备已经相当不错了。尤其是跟我国之前的光刻设备相比，这次的氟化氩光刻机实现了技术大跨越。