芯片越来越小，性能越来越强。在芯片技术的赛道上，比纳米级更小的芯片已崭露头角。目前，比利时微电子研究中心（IMEC）已勾勒出 2032 年达 5 埃米（0.5nm）、2036 年至 2 埃米（0.2nm）的芯片制程蓝图，但是，要实现这样的精度，先进光刻设备，又成为摆在我们面前的一道拦路虎。在我们还无法突破7纳米工艺制程的情况下，对于工艺制程更加先进的芯片来说，是否过于遥远呢？

其实不然，面对当前半导体芯片的发展，我们在芯片领域并非毫无优势与机遇。在封装技术方面，我国已占据重要地位。美国商务部数据显示，中国大陆芯片封装产能占全球 38%，远超美国的 3%。国内厂商成绩斐然，如华封科技 2024 年前三季度营收 7.49 亿元，同比增长 21.01%；中科飞测同期营业收入 8.12 亿元，增长 38.21%，且 2024 年集成电路质量控制设备出货量大幅提升。这表明我国可凭借封装优势，在芯片后端环节巩固实力，并以此为突破口，反哺前端制造研发。

我们现在最缺的还是光刻机。为了加速突破和摆脱光刻机对外严重的依赖。加大自主研发光刻技术的力度，科研团队与企业积极投入资源，全力攻克光刻机核心技术难题，力求实现从光源到光刻胶等关键部件的国产化替代，逐步缩小与国际先进水平的光刻技术差距。另一方面，积极探索芯片制造的替代技术路径。在现有制程基础上，通过优化设计架构、采用新型材料及创新的计算范式等手段提升芯片性能。例如，发展基于量子计算原理的芯片架构，虽处于起步阶段，但有望打破传统芯片制程的物理限制，实现弯道超车。

2024 年底，哈尔滨工业大学在光刻机光源技术方面传来重大喜讯。该校航天学院赵永蓬教授团队研发的 “放电等离子体极紫外光刻光源” 项目，荣获黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。

该技术能够提供中心波长为 13.5 纳米的极紫外光，满足了极紫外光刻市场的迫切需求。这一突破意义非凡，它标志着我国在极紫外光源技术上实现了重要突破，具备了自主研发的能力，不再依赖进口设备。

虽然还有很多需要攻克的难关，光刻机产业链还不很完善，无法完成先进的光刻机的生产任务。但也让我们看到了国产光刻机产业蓬勃发展的光明前景。

路虽难，但我们依然要坚定地走下去。

正如华为消费者业务CEO余承东致华为终端全体员工2025年新年信时表示，面对高山，我们自己就是路。

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