晶栈（Xtacking）架构是一种创新的3D NAND闪存技术架构，不仅提升了闪存吞吐速率也提升系统级存储综合性能。

核心原理

Xtacking技术将存储单元阵列（Memory Cell Array）和外围逻辑电路（CMOS电路）分别独立制造在两片晶圆上，然后通过垂直互联技术（如硅通孔TSV或混合键合）将两者键合在一起。

速度提升：外围电路与存储单元直接键合，缩短数据传输路径，I/O速度较传统架构提升约50%（如：Xtacking 3.0技术可实现2400 MT/s的接口速率）。存储密度提升：传统芯片架构中外围电路占用约20-30%的芯片面积，Xtacking可显著降低面积占用，提升存储密度。灵活性：存储单元和外围电路可使用各自的最优工艺进行制造。低功耗：键合技术减少长距离互连的电阻和电容，降低动态功耗。抗干扰性：外围电路与存储单元物理隔离，减少信号串扰，提升数据可靠性。国产突破：Xtacking技术使长江存储成为全球少数掌握高端3D NAND技术的厂商之一，打破三星、铠侠（Kioxia）、美光等巨头的垄断。闪存工作原理

存储单元（Memory Cell）

核心元件：浮栅晶体管（Floating Gate Transistor）或电荷捕获层（Charge Trap Layer，如3D NAND中的替代方案）。结构特点：控制栅（Control Gate）：用于施加电压以控制电荷的注入或释放。浮栅（Floating Gate）：被绝缘层（氧化物）包围，用于存储电荷（电荷多少代表数据“0”或“1”）。隧道氧化层（Tunnel Oxide）：允许电荷通过量子隧穿效应进出浮栅。

存储阵列组织

页（Page）：闪存的最小读写单位（通常4KB-16KB）。块（Block）：由多个页组成（如128页），是擦除操作的最小单位。平面（Plane）：多个块组成平面，支持并行操作以提升速度。致态TiPro9000采用晶栈Xtacking 4.0技术的294层 TLC闪存芯片慧荣主控+2GB LPDDR4X DRAM 缓存芯片支持PCIe 5.02TB版顺序读取速度为14245MB/s，顺序写入速度为13720MB/s2TB版最大随机读取性能超过了2000K IOPS耐久度：600TBW(1TB)、1200TBW(2TB)