在科技行业风起云涌的当下，英特尔的一则重磅消息让全球芯片市场再次沸腾。这家芯片巨头近日正式公布了其“特供版芯片”，并以高达92%的降价幅度震惊了业界。这一惊人的价格调整不仅引发了广泛的关注和讨论，也让人们开始重新审视英特尔的市场策略、技术创新以及未来的发展方向。

英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，目前，Intel 7，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，将继续采用EUV技术，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，助力英特尔于2025年重夺制程领先性。

在“四年五个制程节点”计划之后，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，以巩固制程领先性。High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展。数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。

作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。此外，英特尔还公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。

英特尔代工厂今天发表声明表示，公司先进半导体制造领域的一个重要里程碑，完成了业界首个商用高数值孔径（高数值孔径）极紫外（EUV）光刻扫描仪的组装，该扫描仪位于该公司俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地。

按照英特尔所说，这个名为TWINSCAN EXE:5000 系统装在 43 个货运集装箱内的 250 多个板条箱中运输到俄勒冈州。这些货物被装载到降落在西雅图的多架货机上。然后，他们被转移到 20 辆卡车上，开往俄勒冈州。每个新系统的总重量超过 150 吨。

据介绍，高数值孔径 EUV 光刻是超越 EUV 光刻的进化步骤，EUV 光刻使用地球上不自然存在的光波长 (13.5 nm)。这种光是由强大的激光撞击加热到近 22 万摄氏度的锡滴而产生的——几乎比太阳平均表面温度高 40 倍。这种光从包含所需电路图案模板的掩模上反射，然后通过由有史以来最精确的镜子构建的光学系统。

数值孔径 (NA) 是收集和聚焦光线能力的衡量标准。通过改变用于将图案投影到晶圆上的光学器件的设计，高数值孔径 EUV 技术在分辨率和晶体管尺寸方面取得了重大进步。制造这些更小尺寸晶体管的能力还需要新的晶体管结构以及英特尔正在开发的与第一个高数值孔径 EUV 系统集成并行的其他工艺步骤的改进。

英特尔方面表示，来自光刻领导者 ASML 的英特尔 TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV 工具目前正在进行校准步骤，为英特尔未来工艺路线图的生产做准备。该新工具能够通过改变将打印图像投影到硅晶圆上的光学设计，显著提高下一代处理器的分辨率和功能扩展。

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