该设备用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的镀膜，深径比>10:1。例如：用于基板镀膜工序Cu/Ti微结构，Au/TiW传输导线双体系膜层淀积能力，为微系统集成密度提升提供支撑。

设备优点：膜层均匀性及重复性高，膜层附着力强，设备依据工艺配方进行可编程自动化控制。

设备结构及性能参数

-单镀膜室、双镀膜室、多腔体镀膜室

-卧式结构、立式结构

-线列式、团簇式

-样品传递：直线式、圆周式

-磁控溅射靶数量及类型：多支矩形磁控靶

-磁控溅射靶：直流、射频、中频、高能脉冲兼容

-基片可加热、可升降、可加偏压

-通入反应气体，可进行反应溅射镀膜

-操作方式：手动、半自动、全自动

-基片托架：根据基片尺寸配置

-基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客户指定尺寸

-进/出样室极限真空度：≤8X10︿-5Pa

-进/出样室工作背景真空度：≤2X10︿-3Pa

-镀膜室的极限真空度：5X10︿-5Pa，

工作背景真空度：8X10︿-4Pa

-膜层均匀性：<5%（片内），<5%（片间）

-设备总体漏放率：关机12小时真空度≤10Pa

鹏*城*半*导*体*技*术*(深*圳)*有*限*公*司

1*3*6*3*2*7*5*0*0*1*7