全球芯片的短缺，正好是中国芯实现发展，实现弯道超车的机遇，毕竟在芯片短缺的情况下，全球芯片基本上重视点都放在产能上面，先进性的步伐可能会放缓。如今，在存储芯片方面，业界预期今年下半年可以得到缓解。

美光集团CEO认为，存储芯片的缺货恐怕将会延续到2023年。看样子，在存储芯片领域，我国也有相当的发展时间和发展空间。因此，华为和中科院抓住了这次难得的机遇，准备共研国产存储芯片技术，试图想要从最根部进行突破。

那么，一旦华为和中科院在存储芯片领域从根部打破了，会出现哪些蝴蝶效应呢？目前在存储芯片方面，基本上都被三星和SK海力士所垄断，那么，如今华为和中科院的联手，是否有望打破这个垄断呢？

2022年5月，根据相关日本媒体报道，华为即将在2022年夏威夷VLSI技术及电路研讨会期间，准确来说是今年6月12日到6月17日期间。发表自己和中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM芯片技术，并且据说还会有各种内存的现场展示。

那么，这个3D DRAM究竟是一种怎样的技术呢？其实，这项技术是基于铟镓锌氧 IGZO-FET材料的CAA构型晶体管。是不是感觉有很多疑问？铟镓锌氧 IGZO-FET材料，其实也就是由铟、镓、锌、氧组成的透明氧化物。

而CAA构型晶体管呢？这是中科院微电子所李泠研究员团队联合华为海思团队，开发出的新型垂直环形沟道器件结构，这个结构有两个好处，一个是可以减少器件面积，另外是可以支持多层重叠。

如今，用上了这样的材料，用上了这样的结构，证明了这次华为和中科院的联手，应该是一次大动作，大有想要从根部突破的感觉。而华为和中科院，都是我国在高端科技领域，实力强劲的玩家。

那么，一旦未来华为和中科院在存储芯片技术方面真的从根部突破了，将会给我国存储芯片的发展带来怎样的影响呢？

2022年5月10日，国际市场调研机构Yole Dédevelopement在当天发布了《内存行业年度状况报告》，根据这份报告预测，2022年全年，DRAM内存市场将增长25%，市场规模将达到1180亿美元，创下了历史新高。然后一直到2027年，独立内存市场预计将以8%的复合年均增长率增长到2600多亿美元。

从中不难看出，如今全球存储芯片市场前景还是比较光明，比较广阔的。一旦华为和中科院从根部打破存储芯片的技术。未来，国产存储芯片应该也能尽可能多拿下发展红利。

另外，根据 BusinessKorea 2022年4月15日报道，三星如今已经定下了一个小目标，准备在2022年6月份之前，完成11纳米的第六代1c DRAM芯片。从中可知，DRAM芯片市场的竞争究竟有多激烈。如果一旦华为和中科院从根部打破存储芯片的技术，那么，未必不能在未来竞争激烈的市场中亮出竞争优势，对于国产存储芯片走向全球还是很有帮助的。

在3D DRAM存储芯片技术方面，华为和中科院强强联手，齐头向最核心的根部技术发展。虽然未必不可能取得亮眼的突破，但是，要想打破三星和SK海力士在这个领域中对全球的垄断，估计中国芯未来仍将有很长一段路要走。