碳基芯片可从以下几方面推动技术进步：

1. 突破性能瓶颈：碳纳米管具有超高的载流子迁移率，用其制备的碳基芯片，电子迁移速度比硅基芯片快5-10倍，能实现更高的频率和运算速度。同时，碳基芯片在尺寸缩小到纳米尺度时，能更好地克服短沟道效应，可将集成电路技术推进到3纳米节点以下，且性能超越硅基芯片10倍以上。此外，碳基芯片热导率好，能快速散热，解决了硅基芯片因发热导致性能下降和稳定性问题。

2. 降低功耗：碳基芯片的功耗仅为硅基晶体管的1/10，这对于电池供电的移动设备、物联网设备等意义重大，可延长设备续航时间，也能降低数据中心等大规模计算设施的能耗成本。

3. 降低对高端光刻技术依赖：采用90nm工艺的碳基芯片有望制备出性能和集成度相当于28nm技术节点的硅基芯片，采用28nm工艺的碳基芯片则可以实现等同于7nm技术节点的硅基芯片，因此可在一定程度上摆脱对极紫外光刻机（EUV）等高端光刻设备的依赖，降低芯片制造门槛和成本。

4. 拓展应用领域：碳基芯片可实现柔性、透明等新形态芯片。这使其在可穿戴设备、柔性显示屏、透明电子设备等领域有广泛应用前景。同时，碳基芯片稳定性高、抗干扰能力强，适用于航空航天、军事等对可靠性要求高的特殊环境。

5. 推动芯片产业自主发展：目前全球硅基芯片技术被国外厂家长期垄断，而碳基芯片是全新路径，国际上相关技术几乎空白，中国在该领域已取得一定优势，发展碳基芯片有助于实现芯片产业的自主可控，摆脱国外技术封锁，推动全球芯片产业格局变革。

6. 助力人工智能发展：随着人工智能技术发展，海量数据处理对芯片算力和能量效率提出挑战。碳基芯片具有更强算力和更高能量效率，如北京大学制备的世界首个碳纳米管基的张量处理器芯片，可实现高能效的卷积神经网络运算，为人工智能发展提供有力支持。

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