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事件：业绩超预期之下，存储龙头美光科技股价大幅高开，盘中最高涨幅超过16%。
本轮存储周期性反转主要得益于三大存储原厂，为了应对之前的供应过剩情况，宣布减少产能，消减资本开支的措施，支撑了存储产品价格。
在AI，数据中心等新需求刺激下，存储产品价格大幅度反弹。
根据InSpectrum 的数据，2023年9月DRAM及NANDFlash 现货价格触底回升，2023年10月至2024年2月部分DDR4现货价格反弹20%以上、部分NAND Flash 现货价格反弹80%以上，目前存储器价格仍延续上涨趋势。
2016-2023 年DRAM 现货价格走势情况
2016-2023 年NAND Flash 现货/合约价格走势情况
存储市场规模：
2022年全球存储市场规模为1392亿美元，占半导体产业总规模的24%。
2021年全球存储市场规模为1534亿美元，占半导体产业总规模的28%。
2020年全球存储市场规模为1175亿美元，占半导体产业总规模的27%。
从市场规模来看，存储产业是半导体产业中仅次于逻辑芯片的第二大细分市场，其中DRAM和NAND Flash是存储芯片市场的主流产品。
24年存储行业市场预期
根据最新的市场分析，2024年DRAM和NAND位元的供给增速预计将小于需求增速。具体来看：
DRAM和NAND Flash市场：预计2024年上半年，消费性电子市场需求能见度不明朗，通用型服务器的资本支出受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱。因此，DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别预估为13.0%及16.0% 。
PC市场：2024年，PC总出货量低个位数成长，随着搭载Intel新CPU Meteor Lake机种的量产，PC DRAM平均搭载容量年成长率约12.4%。
服务器市场：预计出货量中高个位数成长
智能手机市场：受全球经济疲软影响，2024年智能手机生产量年成长率预估仅约2.2%。AI手机预计渗透率开始提升，AI手机DRAM容量较非AI手机增加50-100%。
智能汽车市场：Level 2 ADAS/AD芯片的TOPS（每秒万亿次操作）一般在10到100之间，到2024年，L2芯片收入预计将占自动驾驶SoC芯片市场的60%。ADAS/AD SoC市场预计到2030年将达到300亿美元，2022年至2027年间的复合年增长率为26.3% 。到2024年，ADAS在汽车出货量中的全球渗透率预计将达到78.7% 。
行业涨价延续：
预计DRAM价格上涨趋势将持续到2024年底，近期韩国媒体报道Samsung将和智能手机、个人电脑等下游客户进行谈判，计划将存储产品价格继续上调20%
华邦3月对DDR3价格进行上调，调涨20%
当前存储行业的主要趋势是什么？
当前存储行业有两个主要趋势：一是价格复苏，经过大幅下跌后已接近谷底，今年全年预计实现连续四个季度涨价；二是需求量价提升，全行业需求持续增长，尤其在智能终端升级带动下，对高端内存的需求增大。同时，国内模组公司正经历国产替代进程，市场空间巨大，存在巨大的成长空间。
存储行业的市场规模和景气周期是怎样的？
存储行业是半导体中第二大类，市场规模约为1200亿美元，且处于景气上行周期。通过价格端、供给端、需求端以及库存等多角度分析，这一周期上行趋势较为明显。存储行业周期波动性非常强，约为3到4年。新一轮周期始于2019年三季度，从那时起下行周期已经结束。每一轮周期对应不同的科技革命，例如移动互联、云计算等。
存储价格上涨这么多，为什么A股板块反应不大？
虽然存储产品价格持续上涨，但由于大部分涨价产品与A股市场关系不大，如DDR3、4、5等，所以A股市场并未充分反映这一涨价周期带来的利好影响。
HBM的发展历程及未来前景
HBM作为一种高带宽大容量存储器，在AI需求的推动下，成为未来五年市场增速的必经之路。国际巨头纷纷加入竞争，海力士、三星和美光都将推出HBM3产品。与DDR相比，HBM通过TSV硅通孔技术实现垂直堆叠，具有高速高带宽、低功耗小体积等特点。HBM已经经过四代迭代升级，每一代产品的带宽和容量都有显著提升。HBM3作为最新一代产品，带宽达到1.15TB每秒，预计未来HBM4的堆叠层数将达到16层。HBM的互联工艺采用TSV和硅中介层，较传统工艺节省了封装尺寸，降低了功耗，并带来了带宽提升。
全球HBM市场的规模预测是多少？
全球HBM市场的预测出货量约为1亿颗，若按海力士预测的一半市场份额计算，则全球HBM出货量将达到约2亿颗。若以每颗300美元的价格计算，整个HBM市场将达到约600亿美元的规模，这相当于再造一个DRAM行业，具有非常大的市场潜力。
未来HBM封装可能的发展趋势及预期时间？
随着HBM堆叠层数达到16层以上，预计会出现HHCD（Hybrid Hot-Clip Die）或混合键合的方式，如海力士的HDM4和三星的SQHCD方案。混合键合将不再依赖bump，而是要求提供高度洁净和平坦的表面，在表面直接进行童童键合。此外，预计到2026年，海力士的HBM4将量产，而三星的HBM4则计划在2025年推出市场。头部厂商正在积极投资HBM技术，预计未来几年其产能和出货量将大幅提升，以满足IAI（人工智能）等新兴领域对高带宽、低功耗封装解决方案的需求。
HBM市场的主导产品有哪些？为何认为存储领域的HBM值得关注？
HBM市场目前主导的是HBM3和HBM3E，而到明年将出现HBM4，这是三大原厂（海力士、海光、三星）的HBM路线图上的迭代产品。与新能源车类似，HBM作为一种新技术，具有较强的概念性和发展空间。在存储领域，HBM被认为是一个值得跟踪和投资的重要逻辑。
国内HBM市场的前景如何？
国内HBM市场可能会加快进度，例如武汉新兴已经在HBM方面进行招标，增加生产设备并初步预估产能每月可达3000片。这意味着国产HBM的量产有望在不久的将来进入市场，这将带来重大突破。
对于存储模组厂商的投资价值如何看待？
存储模组厂商虽然上游和下游都缺乏定价权，但从短期景气度提升的角度来看，这些公司在存储价格上涨到Q2时业绩会逐步释放。供给端减产仍将持续，需求端如英特尔PC部门营收和新化服务器BMIC芯片表现良好，加上AI带来的新增需求，存储价格可能进一步上涨。因此，在这种景气度上行的周期内，这些模组厂商仍具有投资价值，尤其是在低价存储颗粒逻辑兑现的上一波行情中，跑赢电子行业整体指数问题不大。
存储模组赛道为何被认为是收入和利润弹性最大的？
存储模组的收入和利润弹性相较于材料和设备更大，预计今年全行业将有明显的收入和利润变化。具体表现为各家公司存货增加，若以去年年底的存货乘以今年的涨价幅度，就可能释放出相应的利润潜力。
DDR内存市场情况
2024年全球DRAM需求预计达到2400到2500亿，供给则只有2400亿左右，存在一定的短缺。PC、服务器和手机是DRAM需求的主要来源，其中服务器需求存在较大缺口。整体来看，DDR内存价格将继续上涨，供不应求的情况将持续存在。
存储市场中，哪些公司受到低价存储颗粒的影响较大，以及它们后续的业绩释放情况如何？
在存储市场中，受到低价存储颗粒影响较大的是国内三家主流模组厂商——百维、德明利和江波龙。它们预计在今年Q4开始逐渐释放利润，特别是在Q2之后的存储价格走势尚未明朗的情况下，这些厂商更倾向于在存储价格上涨到最高点或震荡时释放业绩，因此预计它们在Q1和Q2的业绩表现将较为乐观。
核心个股：
存储芯片：兆易创新、东芯股份、普冉股份、北京君正；
存储模组：德明利、江波龙、协创数据、佰维存储；
存储接口：澜起科技、聚辰股份；
HBM及封测：雅克科技，长电科技、通富微电、香农芯创，华海诚科；
半导体设备：北方华创、中微公司、神工股份
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